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[参考译文] TPS25750:有关如何实现 PBM 和编写补丁捆绑包的问题。

Guru**** 1471455 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS25750, TPS2552, TPS65982
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1323205/tps25750-questions-about-how-to-implement-pbms-and-write-patch-bundle

器件型号:TPS25750
主题中讨论的其他器件: TPS65982

我正在尝试使用 PBMs 函数将补丁捆绑包写入 TPS25750。 我对实施以及副作用有几个问题。

查看此命令的数据有效载荷描述时、可以看到它占用四个字节的大小。 如果我的捆绑包为24,000字节、那么顺序是否为器件地址。 -> Len (6)-> 0x00 -> 0x00 -> 0x5D -> 0xC0 ->从器件地址。 ->超时?

我知道从地址是用户指定的地址、但为了清楚起见、该地址是指自身(TPS25750)? 它可以是0x00和定义的 ADCINx 地址以外的任何地址、正确吗?

当将补丁捆绑包发送到上述 I2C 从器件地址时、应将数据发送为原始数据(从器件地址 ->数据字节)、或者我应该在数据之前包含一个长度 (从器件地址 ->补丁段的长度->数据字节)? 在文档中为此添加一个字节图将非常有用、除非我忽略了一些应该很明显的内容。

是否会循环、比如128字节的原始数据、直到我完成循环才是实现它的合理方法? (从器件地址 ->数据字节1 ->数据字节 n ->数据字节128)

我可以针对此 PBMs 命令写入专用于 EEPROM 的整个32k bin 文件、或者我是否需要包含/滤除任何其他内容? 大概32k EEPROM 文件包含高区和低区补丁捆绑包。



最后、作为副作用、补丁也会写入 EEPROM? 我猜不会。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    PBMx 不是设计用于将二进制文件写入 EEPROM 的过程、而是直接写入器件的 SRAM。

    当您执行 PBMx 时、您无需写入从 GUI 生成的完整闪存二进制文件、因为 EEPROM 中的2个存储器区域有两个完整闪存二进制文件区域。 您会希望在 PBMx 中写入低区二进制文件、因为您是直接写入 TPS2552的 SRAM。 低区二进制文件大小通常为完整闪存二进制文件大小的一半左右。

    这是 PBMx 过程的电源点和 PBMx 的 I2C 日志(请注意、在日志中有两个器件通过 PBMx 更新、因此您可以看到地址0x20和0x21)。 整个过程的流程图和 I2C 日志应该会让您更好地了解此过程。

    e2e.ti.com/.../2543.PBMx.pptxe2e.ti.com/.../PBMx_5F00_PowerUp_5F00_Two_5F00_994.xlsx

    我明白从地址是用户指定的地址,但为了清楚起见,该地址是指自己的? 它可以是0x00和定义的 ADCINx 地址以外的任何地址、正确吗?

    可以将此地址视为通信通道。 您选择的地址不会在系统中用于将补丁捆绑包发送到 PD。 流程完成后、我们将不再与该通道进行交互。

    会循环,例如128个字节的原始数据,直到我完成才是实现此目标的合理方法?

    我建议每个周期像在 I2C 日志中一样进行64个字节的写入。

    此致

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    很棒的信息 非常感谢! 我想简单地提及在 PBMs 命令之后如何发送补丁数据会在官方文件中有所帮助、尽管这只是一个简单的写入操作。

    64字节有任何特定的合理性吗? 另外(对我而言更重要的是)是否有图或图表可以参考、以了解如何通过程序在 bin 文件输出中组织数据、以便减少需要发送的数据?

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    您好!

    您需要写入整个低区二进制文件输出、因为它包含从 SRAM 引导器件所需的信息。

    出于安全考虑、我们不会透露中的数据如何以完整闪存或低区二进制形式进行组织。

    此致

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    也许我的问题措辞不正确。 所以您无法确切地告诉我整个闪存中低电平区域的位置。 我正在尝试将低位区域写入(从单个文件)到单元、然后在单元处于应用模式时将完整闪存写入 EEPROM。 基本而言、我需要从整个闪存中删除低区数据。 我不需要知道低区数据的确切细节、就在整个闪存中的哪个位置。

    我在另一个问题上找到本文档。 https://www.ti.com/lit/an/slva783a/slva783a.pdf
    3.1中显示的图表是否符合我的要求?或者 TPS25750的完整闪存是否不同?

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    您好!

    是的、TPS65982的完整闪存结构与 TPS25750不同。

    您不需要也无法从整个闪存中切断低区数据、因为在将标头中存在加载到器件时需要检查的信息。 从整个闪存中切断低区域、然后写入器件、只会导致故障。

    如果您尝试执行 PBMx、您只能使用低区二进制文件(如果您使用 EC 通过 I2C 对其进行写入、则采用 C 数组格式)。

    此致