[参考译文] LM5118：LM5118

尊敬的 Najma：

对于此应用示例、50%占空比对应于24V -请参阅8.2.1

VOUT = 12V

D =输出电压/输入 电压=>输入电压= D * VOUT = 50%* 24V = 12V

要优化设计、您可以使用快速入门计算器、该计算器位于产品页

注意：该文档目前尚未显示、但今天晚些时候应该在产品页面上再次提供。

另一个用于设计优化的选项是功率级设计器：  

功率级设计器设计工具| TI.com

借助这两种工具、您可以查看组件更改的影响并根据您的首选参数调整设计。

此致、

 斯特凡

斯特凡 

 

  

  

 

·海 感谢您的答复。 我使用了产品页面中提供的 WEBENCH 电源设计器。 www.ti.com/.../LM5118 我能够为输入电压-18-75V,输出电压24V ,输出电流3A 和环境温度30°C 生成一个示例设计。 但当我把温度更改为40时,它就会说设计失败,结温过高。 是否是由于您用于生成样例设计的组件的工作温度？ 请告诉我,我可以在哪里找到计算? 谢谢 纳杰玛

尊敬的 Najma：

最恰当的方法是、其中一个组件中的计算损耗非常高、以至于其温度升高到超过限值(例如二极管)。

在检查30度数据时、可以看到损耗并计算这些组件的温升。

我在这里附上了计算器、因为网络更新需要更多 days.e2e.ti.com/.../snvu065a.zip 才能完成

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

我将计算功率耗散。

FET 器件编号 CSD19532Q5B (HO 上有一个、LO 上有一个)。 Fsw 为221kHz。 栅极驱动器功率耗散的计算方式为：Qg * Vgs * FSW * Rg。

LDO 的功耗 计算公式为  PVCC =(VCC)*｛(Qg * FSW)+IBAIS｝

我参考了以下主题

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/455645/lm5118-power-dissipation

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/885669/lm5118-power-dissipation-at-lm5118

请告诉我您的计算结果是否正确。  

尊敬的 Najma：

您想计算 LM5118的功率耗散、对吧？

我看不到工作表中的数学运算、但上面的公式看起来不错。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

计算如下

VIN = 18-75V

Qg = 48nc*2=96nC    (CSD19532Q5B)

VGS = 7V (与 Vcc 相同)  

fsw = 221kHz

Ibias = 5.5mA

串联栅极电阻 Rg = 1.2Ohm

栅极功率耗散= Qg * Vgs * FSW* Rg = 0.1782W

LDO 功率耗散= (VIN-AIS)*{(VIN*FSW)+IBAIS}=(75-7) VCC *((96nC*221000)+0.0055)= 1.816W Qg

总功率耗散为1.99W，计算出的温升为79.76摄氏度。由于 PCB 必须在最坏情况温度为60°C 的模块内运行，因此最坏情况温度将接近 140°C。

是否有办法限制 LDO 功耗？  

如果 VCCX 偏置为5V、LDO 将不会运行、对吗？

在这种情况下，PVcc = (RDSON)*[((Qg * FSW)+IBAIS)^2]= 0.0034W ( 数据表中 Rdson = 5 Ω)

Ptotal 将为0.1782 + 0.0034 = 0.1816W  

如果我们希望限制功率耗散和温度上升、这是否是最佳选择？ 请告知  

谢谢

纳杰玛