您好！
我认为这是提摩太·黑格蒂的问题。 我正在尝试在更真实的电路中对 TPSF12C1 (TPSF12C1-Q1单相 AEF circuit.sxsch)使用 SIMPLIS 模型、其中包括 LISN、线路阻抗和 PFC 级、但该 IC 不起作用。 很遗憾、我无法将仿真文件附加到此消息中。 它看起来像是对 Vdd 饱和的 IC 电压。 但 Vdd 的增加没有任何帮助。 我使用的是原始电路的所有组件。 当我调查你的原始文件,它也显示出奇怪的行为。 当我在线路和 Csen1和 Csen2之间放置电压控制电压源时(E2启用，R1和 R2禁用)，即使所有信号都与原始电路完全相同(E2禁用，R1和 R2启用)，此 IC 也不起作用，请参见下面的 pic。 您能帮助解决这个问题吗？ 也可以为这个 IC 的 PSPICE 加密模型与 Simetrix 一起工作吗?
此致。
列夫
尊敬的 Lev：
上面的原理图中连接的 VCVS 不允许注入电流。 此外、根据通过电容器 CSW 施加的 CM 激励(VSW)设置 CM 噪声源电流的幅度、滤波器中心节点(由 AEF 电路检测的扼流圈之间)处的 CM 电压干扰可能过高、 因此、从大信号的角度导致 INJ 引脚电压饱和。 您可以使用 TPSF12C1/3快速入门计算器检查这一点-只需确保输入正确的扼流圈参数。 此外、请在仿真中查看时域波形。
我附加了一个50uH LISN 文件、下面显示了一些结果。 该文件具有更简单的扼流圈模型、它对应于我们单相滤波器 EVM 中的 Wurth 2mH 扼流圈。 三个串联 RL 级通常足以针对纳米晶扼流圈的阻抗曲线获得满意的行为模型。 请注意、该设计中的 CSW 仅为20pF、因为借助2.2nF 稳压器侧 Y-cap、滤波的第一级受到一定程度的限制。 将这些 Y-cap 从2.2nF 增大到4.7-10nF (同时仍满足触控电流规格)、以减少 AEF 电路检测到的 CM 干扰、尤其是在开关频率小于100kHz 时。
PS：请注意、您可以使用"Plot"->"Fourier..." 菜单来获取 LISN 电压的傅里叶结果、例如启用/禁用 AEF。 我将持续时间从正常50µs 增加到250µs、以获得更高的分辨率傅里叶结果、因此仿真运行时间会稍长。
此致、
时间
e2e.ti.com/.../TPSF12C1EVM_2D00_FILTER-AEF-circuit-with-LISN.sxsch
尊敬的 Tim：
由于我们目前所有的产品功率都低于1kW、因此我们目前使用单相 CCM PFC 和交错式 CrCM PFC。 但我关于有源滤波器的问题是一个一般性问题。 我希望您可以开发一个模拟电路、作为您的客户可以连接其 PFC 电路时应该具有三个连接器(线路、中性线和保护接地线)的模板。 我在电流电路中遇到的问题是、如果我连接 PFC 功率级而不是噪声源(VSW)、一切都正常。 但是、如果我通过桥接器将 PFC 级连接至实际电路、并通过 CSW 将 MOSFET 漏极连接至接地端来注入 CM 噪声、则 IC 不起作用
此致
列夫
尊敬的 Lev：
这里是一个更新的 SIMPLIS 文件、其中图腾柱(TTPL)设置在50%的占空比下运行开环、从而提供400V 的直流母线。 该文件提取 LISN 的总噪声中的 DM 和 CM 分量、并包括一个用于 DM 滤波的分立式电感器 L2 = 220uH、以及 X 电容器。
e2e.ti.com/.../2768.TPSF12C1EVM_2D00_FILTER-with-TTPL-boost-stage.sxsch
此致、
时间
