主题中讨论的其他器件: TPSI3052-Q1
您好!
我将使用您的 TIDA-050063 设计指南开发预充电解决方案。
我对栅极驱动电路有点困惑。 具体来说就是 TPSI3052-Q1。
对于 C_DIV1和 C_DIV2的选择、规定较高的值=较少的 VDDH 压降、但开通时间较慢。
然后您会看到:"为本设计选择的 MOSFET 的栅极电荷(QG)均为55nC"、如第11页所示。 TPSI3052-Q1不驱动任何 MOSFET、为 MOSFET 低侧驱动器 UCC27517AQDBVRQ1供电。 然后、您建议我们使用 Excel 计算器来选择这些电容、但这似乎很奇怪、因为它不适用于驱动 IC。 我选择的 MOSFET 具有1100pF 的 Ciss、但我不认为它有意义、因为我们希望 TPSI3052-Q1只是一个可靠的电源。 这 意味着 最好使用较高的 C_DIV1和 C_DIV2值、因为我们不会使用 TPSI3052-Q1进行任何切换。 您能解释一下 应该如何为参考设计选择 C_DIV1和 C_DIV2吗?
此致!
埃米尔