主题中讨论的其他器件: LM25149-Q1EVM-2100、LM5149-Q1、 LM5149-Q1EVM-400
您好!
我目前正在根据以下规格构建降压转换器:
输入电压:15-80V
输出电压:12.51V
输出电流:10A (最大值)
- 在测试过程中、我遇到了以下问题:
1.集成电路(IC)在负载和空载条件下都会损坏。
2.增大电压时,IC 发热,最终损坏。
我附上了原理图供您参考。
我正在寻求改进建议、请您在解决此问题时提供支持。
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您好!
我目前正在根据以下规格构建降压转换器:
输入电压:15-80V
输出电压:12.51V
输出电流:10A (最大值)
1.集成电路(IC)在负载和空载条件下都会损坏。
2.增大电压时,IC 发热,最终损坏。
我附上了原理图供您参考。
我正在寻求改进建议、请您在解决此问题时提供支持。
Sanjana,
请将您在实际电路板上使用的元件打印出来您的原理图、我确信您的一些元件是 DNP。
另请附上对此的快速入门计算器。
https://www.ti.com/tool/download/SNVR504
您是否正在使用 VCCX? 您的布局是什么样的?
或许可以附加您的 Altium 项目、以便我随后可以查看您的布局。
-奥兰多
我已经为您提供了原理图、下面附加 PCB 布局作为参考。 在实际电路板上进行实践实验时、我建立了以下连接。 若要观察这些连接、请参阅我的原理图。
VCCX 通过 R18处的0欧姆电阻器连接到 GND。
2.GND/SYNC 通过 上的0欧姆电阻器连接到 PFM。
未连接 R1。
4. C1和 R3未连接。
5. LED/SYNCOUT 通过一个100K 上拉电阻和一个0欧姆电阻器而非一个 PG 连接到 VCC。
6. R31和 R33未连接。
请注意我正在使用的元件值:
Q1、Q2:IAUC28N08S5L230ATMA1_1
Q3、Q4:IAUC70N08S5N074ATMA1
我已随附了该款器件的快速入门计算器、
e2e.ti.com/.../0257.LM5148_2D00_LM25148-Quickstart-Calculator_5F00_rev3.xlsm
Sanjana,
请注意、您的 Q3和 Q4不是逻辑电平 MOSFET。
它们应为逻辑电平(数据表中的 VGS = 4.5V)、因为 LM5148栅极驱动仅为5V。
您不应在同一条布线上使用 VCCX 和电流检测 VOUT。
电流检测 VOUT 需要使用 IOUT 进行开尔文布线、这是差分噪声敏感信号。
也不要将该电流检测 VOUT 与 VCCX 共享。
请参阅 LM25149-Q1EVM-2100示例。
您的 AGND 需要连接到 PGND。 这通常是由 AGND 引脚和外露焊盘正确完成的。
我感到困惑、为什么您的 PGND 引脚也不连接到外露焊盘。
请参阅布局示例。
您能否确认转换器在空载时保持稳定? 那么、空载 FPWM 会怎么样?
请告诉我、
-奥兰多
您好!
我已根据您的指南在 PCB 中进行了更改。 如随附的 PWM 波形图像中所示、在高侧和低侧 MOSFET 的栅极生成的波形不准确。 请检查 PCB 的潜在问题并提供指导。
下图展示了 PWM 波形。 在这种描述中、黄色波形表示低侧 MOSFET 的栅极、而蓝色波形对应高侧 MOSFET 的栅极。
我进行了一些更改以解决上述振铃问题(请参考提供给您的原理图):
我将 C39切换至200nF。
我将 R11设置为25欧姆。
现在、该波形看起来不同(波形1)。 请看一下、让我知道这些变化是否有助于减少振铃问题。
在这种描述中、 波形1表示高侧 MOSFET 的栅极、波形2对应于低侧 MOSFET 的栅极、波形3是 IC 的开关引脚。
Sanjana,
您的原理图看起来很好。
就两层和0805组件而言、布局布线效果尽可能好。
当然、更小的0603甚至0402组件将有助于 IC 周围的小信号组件实现更好的布局。
我想说也要将 PGND 引脚10连接到 LM5148外露焊盘。
此外、到 R31的 VOUT 布线最好连接到 con3或 TP5、而不是从输出电容器进行布线。
也许可以通过输出电容器 C22和 C29添加更多的 GND 过孔。 您还可以向 Q3和 Q4添加更多具有较小环形孔的 GND 过孔、如用于高侧 FET 的过孔。
希望这对您有所帮助。
-奥兰多
您好,先生,
感谢您的指导、先生。 我已经合并了您建议的更改并更新了 PCB 布局。 请查看修改后的 PCB 布局。