[参考译文] LMG1210：有关数据表和驱动器 PCB 布局文件的问题

嘿、华、

感谢您关于 LM1210的问题。

DHL (5)和 DLH (6)引脚是用于设置死区时间的输入引脚。 因此、模式选择和死区时间选择请遵循数据表的指导原则。

2.在实际设计中，HS_DAP (21)散热焊盘应连接到 HS (9、13、16)。 看起来可能没有针对这一点正确设置模型、因此如果将其连接到 GND 工作、您可以这样做。

3.所有 HS 引脚都应连接到 HS 散热焊盘、如数据表中的布局示例所示。 NC1 (14)也应未连接或连接到 HS。

4.对于过孔、这些过孔应连接到各自的散热焊盘、这是正确的。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

嘿、华、

感谢您进一步咨询 LMG1210。

1) LMG1210只能用于驱动低侧 NMOS FET。 要将该器件设置为低侧驱动器、您需要将 VIN 连接到 VDD、使其都为5V、从而不会使用 LDO。 BST 和 HS 用于高侧、因此无需使用它们来驱动低侧 FET。 为使其正常工作、您需要进入独立输入模式(IIM)、以便 PWM 引脚在 LI 模式下工作、DHL 可以保持悬空、连接到 GND 或 VDD。 在 IIM 模式下、DLH 必须连接到 VDD。 EN/HI 也应该被接地而不是保持悬空。

2) 2)对于高侧驱动器设置、需要为 HB-HS 提供外部电源以进行自举。 需要连接 VIN、因为它将通过自举二极管为高侧提供驱动电流。 死区时间引脚也需要在此处配置为 IIM 模式。 在这种情况下、PWM/LI 需要接地来将其保持在低电平而不是悬空。

以下是有关使用半桥驱动器实施高侧驱动器的参考资料- 链路

3) 3) LDO 用于确保在适当的电压下驱动 GaN FET 的栅极、因为 GaN FET 很敏感、Vgs 通常为5V。 当需要 VIN 的整个电压范围时、需要 VDD。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

嘿、华、

正确的做法是、如果您有5V 的 VDD 电压轨、则无需 VIN。 如果不使用 VIN、则应将其连接到 VDD、而不是根据数据表中的"引脚功能"表将其悬空。 当系统有12V 电压轨不可用时、VIN 引脚用于为驱动器供电的情况。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

嘿、华、

关于5V VDD 电源的另一个注意事项是、在不使用 VIN 而使用 VDD 的情况下、VIN 应连接到 VDD。 这在第7.3.2节 LDO 操作中进行了进一步讨论。

至于布局问题、阻焊层是覆盖电路板的绿色涂层、用于防腐蚀并位于焊盘和通孔之间。
因此、通过减小阻焊层尺寸、您将为桥接提供更接近的路径。

如果您指的是让焊盘和 GND 过孔更小、它仍能正常工作、但潜在的缺点是由于该高电流引线更小、因此噪声会增加。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

嘿、华、

不连接这些引脚是可以接受的。 通常、当有一个具有 NC 引脚的器件时、由于封装的原因、它需要具有比运行所需的引脚更多的引脚。

对于布局、最好使用焊盘将引脚焊接到引脚上、但不必在引脚上连接迹线。 但是、您可以省略这些位置的焊盘、然后引脚将停留在 PCB 本身上。

请注意、引脚14 (NC1)可以连接到 HS、也可以保持未连接状态。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔