[参考译文] LMG2610：降压转换器

尊敬的 Ramin：  

如 LMG2610数据表的第8.3.1节所述、 LMG2610 GaN 功率 FET 旨在在零电压开关(ZVS)或不连续导通模式(DCM)开关条件下导通。  在器件兼容性方面、如果降压转换器的工作方式能够遵守上述条件、则该转换器将适合该应用。  

关于 优化的导通电阻选择、 这个功率等级的应用通常要求一个较低值的导通电阻。 对于低侧 GaN FET、LMG2610的导通电阻为170m Ω、对于高侧 GaN FET 则为248m Ω。 高 功率等级需要进行一些热分析 、以确保器件结温保持在建议的125C 或以下。  

如果您考虑使用较低导通电阻的器件、我们建议使用 LMG3411R070或 LMG3411R050、它们分别是70m Ω 和50m Ω 的器件。 但是、它们无法提供 LMG2610提供的电平位移+自举集成。  

此致、

约翰