请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:TPS7A88 我们对使用 COTS 元件来降低轨道空间使用进行了一些研究。 作为其中的一部分、我们对我们的一种标准设计进行了 TID 辐射测试。
TID (电离辐射总剂量测试)使用由 JLS 81-22钴-60源提供的 γ 射线进行。
该设计包含3个 TPS7A8801RTJT LDO。 它们几乎同时都出现了故障、并且它们是唯一发生故障的组件。 发生故障的总剂量为12krad。
我们知道这些 LDO 属于 COTS、不属于航天级(TPS7A8801RTJT)。
但是、如果这些 LDO 暴露在辐射下、是否可以从 TI 获得一些有关怀疑/预期故障机制的反馈。
- 例如、它是否会在输入和输出之间短接、然后这些之间的内部连接会烧断、从而使输出保持高阻抗?
- 器件退化、随机故障?
- 主 MOSFET 发生故障?
- 待定?
我们有些好奇、因为它们有一种异常的故障模式。
每个 LDO 包含2个输出。 这3个 LDO 放置在电路板上的不同位置、连接到不同的电源和负载。 在相同的辐射水平下、所有6个输出仍然或多或少地出现故障。
有关失败的更多详细信息
- 即使在启用 LDO 输入并由 LDO 供电的情况下、输出也能提供接近0V 的输出。
- LDO 的输入和输出之间具有高阻抗。