请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TPSF12C3QEVM 主题中讨论的其他器件：TPSF12C3-Q1、 TPSF12C3、TPSF12C1
大家好、我是一名工程专业学生、目前在一家生产 UPS 等产品的公司做实习。
我收到了 TPSF12C3QEVM 芯片和20 KVA UPS。 尽管阅读了官方产品页面上的所有文档、使用了 TPSF12C3-Q1独立文档中的计算并进行了各种测试、但 EMC 测试仍然得出不令人满意的结果。
在测试中、我们选择不使用旁路和电池。 UPS 可支持20 KVA 的负载、在测试过程中、我将 UPS 负载保持在75%。 根据该工具、网络容量为220 pF、稳压器容量为10nF。 公司的工程师建议将 ESR 保持在0.5。 我使用电感为50 µH 的 LISN、在输入和输出端、我们都使用共模电感：在输入端使用铁氧体(0.03mH)、在输出端使用纳瓦级晶体(0.72mH)。
我执行了各种测试、如下所示：
- SCAN 6 -没有 TPSF12C3 EVM 芯片的初始情况
- 扫描12 -无需修改即可插入芯片- CSenss = 560 pF 和 Cinj = 20nF -在 GND 和 VCC 电力线之间添加一个电容器
- 扫描17 - Sensens 560 pF 和 Cinj = 20nF -在 CD3=22nF 且 CD1=3.7nF 的条件下对芯片进行修改
- 扫描18 - Sensens = 560 pF、Cinj = 15 nF -芯片、配置与扫描17相同。
- 扫描19 - Sensens = 560 pF、Cinj = 4.7nF -芯片、配置与扫描17相同。
- 扫描20 - CSENS = 560 pF 和 Cinj = 4.7nF - CD2 = 10nF、CD1 = 1.5nF 且 CD3 = 4.7nF 时的芯片修改
(所有测试都是在第一阶段执行的)。
从测试结果可以看出、这些结果非常不令人满意。 我想知道可以做些什么来改善或至少实现与扫描6相同的结果。 我是否会在计算中犯错误？ 我能忘记一些东西吗？
如果我的问题看起来不知道、我表示歉意。 如果在我已经阅读过的内容之外还有任何进一步的解释，对我来说将是非常有帮助的。
在原始 UPS 电路板中、输入和输出 CM 电感器之间有 Cys。 为了使测试可靠,我们决定删除它们,以充分遵循您的指示
我附加了一个链接、以便访问执行的所有扫描以及比较。
https://drive.google.com/drive/folders/1T-ojFRtu7ZZZwrc_stXKObuetNeFScGW?usp=drive_link
提前感谢您的答复。
