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[参考译文] CSD88539ND:适用于升压转换器应用的双路 MOSFET

Guru**** 1624165 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD88539ND, CSD18543Q3A, CSD17577Q3A, CSD17308Q3
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1264955/csd88539nd-dual-mosfet-for-boost-converter-application

器件型号:CSD88539ND
主题中讨论的其他器件: CSD18543Q3ACSD17577Q3ACSD17308Q3

尊敬的社区:

 对于在第一个 MOSFET 上创建+3V 至+12V 升压转换器的应用、我想使用 CSD88539ND 这样的双 MOSFET SOIC、并在第二个 MOSFET 上通过+5V PWM 信号驱动一个直流电机。 所需的电流最大为4A:

MOSFET1:升压转换器 => 3Vin 至12Vo、Io = 4A、Fsw = 200至220KHz
MOSFET2: 
电机驱动器 => 总线= 12V、VDrive = 5V、Fsw = 31.25KHz

CSD88539ND 是否可以兼容、而不会对不同信号产生任何干扰?

是否有任何说明可以实现功率耗散?

 提前表示感谢。

朱利安

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    Julien、您好!

    感谢您关注 TI FET。 升压转换器是非同步的。 是这样吗? CSD88539ND 要求 VGS = 6V 的最小栅极驱动电压。 在这种情况下会测试器件并保证导通电阻。 我们不建议在5V 栅极驱动下运行、因为这样会造成性能不好或不一致。 如数据表第1页的 RDS (ON)与 VGS 关系图所示、在 VGS = 5V 时、导通电阻位于曲线中非常陡峭的部分。 阈值电压的微小变化会导致导通电阻呈指数增加。 除非您能够提供至少6V 的栅极驱动、否则我不推荐您在应用中使用此器件。 您可以考虑使用2个分立式器件、例如 CSD18543Q3A、其 RDS (ON)额定值低至 VGS = 4.5V、并使用5V 栅极驱动器。

    我无法告诉您、信号之间是否会有任何干扰、因为我们尚未在此类应用中测试器件。 由于两个裸片都在同一引线框上的同一封装内非常靠近、因此可能会发生一些相互作用。 开关频率相差很远、但可能存在串扰、升压转换器和电机驱动器的噪声特性中可能存在拍频。 我们开发了 FET 选择工具、用于估算包括非同步升压转换器在内的各种拓扑的 FET 中的功率损耗。 但是、它不包括双器件、因为它假定升压转换器中有一个单 FET。 请单击以下链接查看应用手册。 其中包含 TI 所有基于网络的 MOSFET 技术信息的链接、这些技术信息包括 FET 选择工具。

    https://www.ti.com/lit/an/slvafg3b/slvafg3b.pdf

    请告诉我我还能做些什么来帮助您。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    您好、John:

    非常感谢您的详细答复。 它是一个非同步升压转换器。 事实上、VGS 在该 IC 上应该优于6V 以确保低导通电阻、但我们通过5V PWM VGS1和3、7V (电池级电压) PWM VGS2信号来控制它们。 也许有适用于这些低 VGS 电压的现有双路 MOSFET 基准?

    我们对使用双 MOSFET 的主要关注点是节省 PCB 布局的空间、因为我们的数量非常有限。 我将查看您的链接、了解 MOSFET 选择和估算功率损耗。

    此致、

    朱利安·加尔蒂埃

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    尊敬的 Julien:

    我们可选择的双路 FET 非常有限、而且我们实际上没有合适的双路 FET 解决方案。 我使用了非同步升压转换器 FET 选择工具来运行一些 FET 损耗估算。 FET 中的均方根电流约为14.5A - 14.8A (取决于二极管压降)。 对于 CSD88539ND、假设 VGS = 6V、则在4A 和3Vin 至12Vo 条件下的导通损耗约为7.4W、这远比 SOIC 封装能够安全耗散的功率大(最大~2W)。 这不包括开关损耗或用于驱动电机的另一个 FET 中的损耗。 您需要使用导通电阻低得多的 FET、以保持合理的功率损耗。 我推荐将采用3.3x3.3mm SON 封装的 CSD17577Q3A 用于升压转换器。 估算的总 FET 损耗约为2W、在3.3x3.3mm SON 封装的能力范围内。 该 FET 也可以用于电机驱动器、但我对该应用的了解不够。 请告诉我我还能做些什么来帮助您。

    谢谢。

    约翰

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    尊敬的 Julien:

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢。

    约翰

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    尊敬的 Julien:

    由于我没有收到您的反馈、我假设您的问题已解决、将关闭此主题。

    谢谢。

    约翰

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    您好、John:

    我 为这两者选择了 CSD17308Q3 MOSFET、该器件对于 PWM 电机控制效果很好、但对于升压转换器、我仍在研究升压转换器过载的奇怪行为。

    此致、

    朱利安

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    尊敬的 Julien:

    您能否提供有关升压转换器奇怪行为的更多详细信息? 原理图和波形以及行为描述将会很有帮助。

    谢谢。

    约翰

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    尊敬的 Julien:

    因为我没有听到您的反馈、我将关闭此主题。

    谢谢。

    约翰