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[参考译文] UCC21520:采用 SiC 的三相全桥应用上发生短路。

Guru**** 1133960 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21530, UCC21551, UCC21550, UCC21520
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1280656/ucc21520-short-circuit-on-three-phase-full-bridge-application-with-sic

器件型号:UCC21520
主题中讨论的其他器件:UCC21530UCC21551UCC21550

您好!

PN UCC21520QDWQ1存在一些问题。
会发生一些随机短路、从而损坏全桥。
不幸的是、在失败期间、我直到现在才能获得任何图像、因为它是随机的。
请查看下面的原理图。
您对此有任何建议、或者以前看到过此 PN 发生过这种情况?
我为低侧和高侧的每个输出使用绝缘电源。

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    尊敬的 Fabio:

    通过10k 死区时间电阻器连接、低侧和高侧输出之间应防止短路。 当前死区时间配置是否对开关具有足够的死区时间? 增加死区时间是否会防止这些短路?

    如果增加死区时间仍然无法阻止短路、则可能是 dV/dt 感应导通的情况。 当 FET 中的高 dV/dt 导致电流通过由栅极驱动器驱动的 FET 的米勒电容发送时、就会出现这种情况。 这个电流在栅极上生成一个电压、如果大于阈值电压、此电压将意外地打开器件。  

     防止发生 dV/dt 感应导通的几种方法是:

    • 通过增加外部栅极电阻来降低 dV/dt
    • 更小的栅极回路可减少寄生电感

    我希望这对您有所帮助!

    此致!

    广木市

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    除了与 RDT 并联的最小数据表建议2.2nF 外、今天的死区时间似乎没有问题(我将修复)。

    根据测试结果、看起来不是由于米勒电容电荷而发生短路、我们使用负电压来保持 SiC 关断。

    该器件好像是从2016年开始使用的、设计为与 SiC MOSFET 配合使用?

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    尊敬的 Fabio:

    是的、该器件旨在与 SiC MOSFET 配合使用、后者可与 UCC21530提供的 UVLO 选项配合使用。 如果更高的 UVLO 选项更适合系统中使用的电源开关、我强烈建议查看具有12V 和17V UVLO 选项的新 UCC21551器件。 UCC21551也更稳定可靠、并 在某些规格上进行了改进。

    死区时间去耦电容器设计为有助于提高抗噪性能、 因此这可能是 该问题的原因。  请告诉我增加电容器是否未能解决问题。  

    此致!

    广木市

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    好的、我会这样做。
    对于10k Ω 的 RDT、您建议使用数据表中显示的特定滤波器电容值或2n2是否合适?
      与我今天使用的新 PN UCC21551相比、它具有更高的抗扰性和稳健性?  它是可以预见的改进吗?  

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    2.2nF 电容器就足够了。

    UCC21520的直接替代产品是 UCC21550、它提供相同的 UVLO 选项和禁用引脚、并  根据过去的客户反馈对设计进行了改进。  

    UCC21551是更高 UVLO 选项(12V 和17V)的替代方案。