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[参考译文] UCC28740-Q1：将 SiC MOSFET 用作初级开关

admin
Guru**** 1785650 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28740, UCC28740-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1272068/ucc28740-q1-using-sic-mosfet-as-primary-switch

器件型号：UCC28740-Q1
主题中讨论的其他器件：UCC28740、

您好！

我想将 SiC MOSFET 用作初级侧开关。 UCC28740-Q1被设计成仅直接驱动 Si MOSFET 栅极。 当我尝试使用单独的栅极驱动器 IC 或从 VDD 获取电源的推挽式栅极驱动电路时、反激式器件会 在不到设计过流保护值的三分之一时关闭。 是否有任何通过电路可靠地将 SiC MOSFET 与 UCC28740搭配使用的示例？

此致

阿比谢克

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    TI__Guru**** 1785650 points
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    尊敬的 Abishek：

    在将 VDD 的电力输送到旨在支持 SiC 的数据驱动器时、 您需要确保有足够的电容来支持控制器和栅极驱动器。 如果您查看 VDD、您是否确定它没有因为 UVLO 而关闭？

    您能确认吗？

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    TI__Guru**** 1785650 points
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    您好！  

    实际上、当负载增加时、稳压在某一时刻丢失、然后进入 CC 模式、再复位。  由于无法进行调节、偏置绕组上的电压也会下降、因此即使在增加偏置电容后、也无法解决问题。 问题是、当我们使用具有 BJT 或 MOSFET 的图腾柱栅极驱动电路时、此复位会在比设计的过流保护限制低得多的负载下发生。 当直接通过控制器的驱动引脚进行驱动时、它可以正常工作。

    此外、当输入电压增加时、此负载能力持续降低。  

    我正在使用此图腾柱栅极驱动电路、如 UCC28740的一个参考设计所示。

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    TI__Guru**** 1785650 points
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    尊敬的 Abhishek：

    您能否在尝试使用的栅极驱动器与不使用的情况下分享 VDD 和 CS 上发生的波形？ 是否看到 CS 管脚上的噪音、也可能是过早地进入 CC 模式的原因？

    此致、

    约翰