您好、 工程师：
我正在为我的项目评估 LM74701-Q1、并且这些天我对您的 EVM 进行了测试。
关于这部分、我有几个问题、正在等待您的答复。
1.全导通模式: 我测试了 EVM,阴极和阳极之间的电压差为 i * rds (on ),不是50mV,当负载高达60mA，时,栅极电压等于 VCAP , 所以我认为 MOSFET 是完全导通。
2. VDS 钳位模式：如果阳极为负电压、 电压低于阳极 POR 阈值、如何驱动 MOSFET 导通？
3. 阳极的绝对电压为65V、如果我们不添加 TVS、如何通过 ISO7637-2 2A /2B 测试？
谢谢
陶庄信
您好、Torres、
请在下面找到我的答复、
1.完全导通模式： 我测试了 EVM、阴极和阳极之间的电压差为 I * rds (on)、而不是50mV、并且当负载高达60mA，时、栅极电压等于 VCAP、 因此我认为 MOSFET 是完全导通的。
LM74701-Q1会尝试将 FET 源漏电压调节到大约 V (AK REG)= 20mV。 一旦负载电流高到足以使 ILOAD * RDS (ON)的乘积大于20mV、LM74701-Q1将开始将栅极拉高至 VCAP。 这是完全导通模式、
2. VDS 钳位模式：如果阳极为负电压、 电压低于阳极 POR 阈值、如何驱动 MOSFET 导通？
当阳极电压降至阴极电压以下且 VCLAMP = 40V 时、内部电路会驱动栅源电压、从而使 FET 两端的电压保持在 VCLAMP 电压。 内部 VDS 钳位电路设计为 即使 Vanode 为负电压也能工作。
3. 阳极的绝对电压为65V、如果我们不添加 TVS、如何通过 ISO7637-2 2A /2B 测试？
ISO7637-2 2A /2B 是持续时间非常短的低能量脉冲。 可以使用 输入和输出电容轻松抑制这些噪声。
