This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TIDA-050063:该设计指南提供了有关如何为 TPSI3052-Q1选择 C_DIV1和 C_DIV2的奇怪信息。

Guru**** 1703840 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-050063, TPSI3052-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1333817/tida-050063-the-design-guide-gives-strange-information-on-how-to-select-c_div1-and-c_div2-for-tpsi3052-q1

器件型号:TIDA-050063
主题中讨论的其他器件: TPSI3052-Q1

您好!

我将使用您的 TIDA-050063 设计指南开发预充电解决方案。  

我对栅极驱动电路有点困惑。 具体来说就是 TPSI3052-Q1。
对于 C_DIV1和 C_DIV2的选择、规定较高的值=较少的 VDDH 压降、但开通时间较慢。  
然后您会看到:"为本设计选择的 MOSFET 的栅极电荷(QG)均为55nC"、如第11页所示。 TPSI3052-Q1不驱动任何 MOSFET、为 MOSFET 低侧驱动器 UCC27517AQDBVRQ1供电。 然后、您建议我们使用 Excel 计算器来选择这些电容、但这似乎很奇怪、因为它不适用于驱动 IC。 我选择的 MOSFET 具有1100pF 的 Ciss、但我不认为它有意义、因为我们希望 TPSI3052-Q1只是一个可靠的电源。 这 意味着 最好使用较高的 C_DIV1和 C_DIV2值、因为我们不会使用 TPSI3052-Q1进行任何切换。 您能解释一下  应该如何为参考设计选择 C_DIV1和 C_DIV2吗?  


此致!

埃米尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Emil、您好!

    感谢您加入 E2E 并与我们的团队建立联系! 当 TPSI3052-Q1不是直接驱动 MOSFET 而是为 UCC 栅极驱动器供电时、我同意此部分对于 CDIVx 的相关性会令人困惑。 因此、这就提出了一个问题:UCC 栅极驱动器是如何驱动 MOSFET 的? UCC 栅极驱动器从其 VDD 引脚拉取电流、该引脚由 TPSI3052-Q1供电。 TPSI3052-Q1就是间接驱动 MOSFET。 我认为 UCC 栅极驱动器有效地作为具有小静态电流(看起来最大为0.160mA)的与门、对 TPSI3052-Q1和迟滞电路的输出进行与操作。  

    因此、CDIVx 的大小必须合适、以便支持开关给定的 MOSFET、使栅极电压不会降至低于期望值(通常为米勒平坦区域)。 考虑到 时序限制(例如、需要在400ms 内完成99%的预充电)、高 CDIVx 值可能并不总是可取的、因为在上电时、CDIVx 电容器必须充电至高于 UVLO 阈值才能进行任何切换。  

    在修改此电路并尝试考虑 TPSI3052-Q1功率传输限制时、必须考虑:

    • MOSFET 总栅极电荷(Qg)
    • 最大开关频率(fsw_max)
    • 迟滞电阻器: 恒定的电流消耗

    所有这些因素都可以 输入到 Excel 计算器工具(SLVRBI9)中、以在开发过程中验证功能。  

    此致、
    T·陈


    固态继电器|应用工程师