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尊敬的 Santosh:
1.是的,推荐表与绝对最大值表有所不同。 如果需要、则可以将 Ton 设置为2550nS、但不建议这样做。 这与超过器件的绝对最大值(例如、将器件暴露于200V)稍有不同、因为这会导致器件发生故障。 您的应用应该需要1350nS。
2.此器件使用二极管仿真模式来提高效率并限制 SW 上的负电流。 如果您有任何二极管需要测试、则始终可以更换 EVM 上的二极管、或使用 EVM 使用的二极管。
https://www.ti.com/tool/LM5013-Q1EVM
谢谢。
安德鲁
感谢 Andrew 的澄清、
最好能多解释一点二极管仿真、或者提供相关的应用手册或文档。
根据我的知识、二极管仿真用于关闭下 MOSFET 以停止向 SW 引脚提供负电流、而我的问题是上 MOSFET 关断期间的二极管正向电压。 我将使用肖特基二极管、其内部正向压降为0.4V。 因为 在关断期间 SW 引脚将具有-(0.4 + I*(Rdiode))电压、该电压高于-0.3V。
而 EVM 使用 V8P12-M3/86A 肖特基二极管、其内部压降为0.59V 至0.77V。 SW 引脚会出现相同的负电压、高于额定电压。
Andrew、您好!
感谢快速响应。 请查看以下应用手册、了解 SW 引脚电压。 如图 4. 在同步降压转换器中、开关时 SW 节点处的电压约为0.6V。 而 LM5012是二极管电压更高的非同步拓扑。

Andrew、您好!
仿真的目的是在二极管导通时检查二极管电压。 我认为二极管电压将超过0.3V、这会损坏 IC。
有一个 LM5013模型与之同一系列、与 SW 引脚的额定值相同、并在 PSpice for TI 上可用的恒定导通时间下工作。 而提供的肖特基二极管则不可用。
因为肖特基模型 是通过邮件提供给某些用户的、如该线程所示。
您能给我提供肖特基的模型吗?
尊敬的 Santosh:
我在网上找到了一个偶基二极管模型库、但您需要自己将其导入 SPICE 中。
交流电压短暂下降至-0.3V 以下应该没问题。 它仅在长时间暴露于小于-0.3V 的直流电压后才会损坏。
谢谢。
安德鲁
Andrew、您好!
我已经完成了仿真、 对于 EVM 中使用的二极管 V8P12-M3/86A、在300 kHz (LM5013)下、二极管在2.5安培时的电压是0.5V。 因为这超出了建议的限制。
请自行检查、我可以邮件给您发送相同的 PSPICE 仿真文件。
在 V8P12-M3/86A 数据表中、我们可以清楚地看到、二极管电压将超过0.3V、而 SW 引脚的 电压将低于-0.3V。