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器件型号：TPSI3050 戒律：
我想使用一个 TPSI3050驱动两个 Pcs 的 MOSFET。 当我在 MOSFET GS 端输入100nF 电容时、我发现 VDRV 电压异常下降、您能帮助介绍一下 MOSFET GS 电容的使用指南吗？ 谢谢。
您好、Haiwen、
感谢您与我们的团队取得联系。 似乎 VDRV 要经历压降。 从栅极到源极添加100nF 可以有效地增加开启 MOSFET 所需的总栅极电荷、因此能够理解这种行为。 
现在、我们需要提高 CDIV1和 CDIV2的值。 由于我不知道 MOSFET 器件型号、因此无法确认所需的确切新值。 请查看 此处产品页面上的计算工具(SLVRBI9)。
例如：
如果您有进一步的问题、敬请告知。
此致、
T·陈
固态继电器|应用工程师
