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您好!
我们将 LM5069-2 IC 用于热插拔应用、规范如下:
- Vin = 24V +/-10%容差
-电流限值: 10A,
-最大负载电容: 2200uF
- Ta:60C
-功率限制: 54W,定时器电容: 470nF
问题1: 考虑到 ISC012N04LM6、我们正在使用 LM5069_DM6 C 执行计算、不幸的是、无法满足 Design_Calculator_Rev 裕度(要求大于1.1的裕度、建议考虑到功率限制和计时器的变化、裕度大于1.3)。 这是由于功率限制和计时器电容器选择吗? 附加文件以供参考。 由于我们没有达到 TI 建议使用软启动控制的额定 SOA /功率限制要求。 甚至无法满足 SOA 裕量!
Q2: 功率限制相关性、我们了解到 IC 通过监控其漏源电压(SENSE 到 OUT)和流经检测电阻(VIN 到 SENSE)的漏极电流来确定 Pd。 电流与电压的乘积与由 PWR 引脚上的电阻编程的功率限制阈值进行比较。 如果功率耗散达到限值阈值、则会对栅极电压进行调制、以减小 MOSFET 中的电流。 当功率限制电路处于活动状态时、故障计时器处于活动状态。 对吧? 功率限制是否取决于 MOSFET 的最大功率耗散? 这意味着功率限制是否应小于 MOSFET 的最大 Pd? 如果将其限制为接近 MOSFET 的最大 Pd、
Q3: 使用 LM5069-2 IC 可设计的最大和最小电流限制是多少?
e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_Using-ISC012N04LM6.xlsx