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[参考译文] TPS82085:耐热特性参数

Guru**** 1131400 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1248233/tps82085-thermal-resistant-vs-characterization-parameter

器件型号:TPS82085

大家好、  

您能否解释一下热阻与 表征参数这两个术语之间的区别?  

在该封装顶部添加散热器是否有效?  

谢谢。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、ohad:

    您可以在该应用手册中找到有关这两个参数的详细信息 、网址为 https://www.ti.com/lit/an/spra953c/spra953c.pdf。

    仿真/测量两个参数的设置存在差异。 RθJC (top) 装置在 IC 顶部放置了一个散热器。 IC 耗散的几乎所有功率都会引导至该位于 IC 顶部的散热器。  RθJC (top) 的计算方法是用测得的结至外壳之间的温度差值除以耗散的功率。  

    μ ΨJT 设置符合 JESD51-2规范。 此设置中未使用散热器、实际上、并非 IC 中耗散的所有功率都流向外壳顶部。 然而、 IC 中耗散的总功率仍用于   ΨJT 的计算中

     ΨJT =(结温-外壳温度)/ IC 中耗散的总功率。 ΨJT 计算中使用的功耗无效、但 Δ I 仍然对电路板设计人员有用、因为这种实验配置非常类似于 IC 封装的应用环境。 在此测试期间、从芯片流向封装顶部的能量大小与 实际应用中的能量大小相似

    此致、

    瓦伦