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[参考译文] CSD17484F4:ESD 二极管正向电压

Guru**** 1125150 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17484F4, CSD17382F4
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1241805/csd17484f4-esd-diode-forward-voltage

器件型号:CSD17484F4
主题中讨论的其他器件: CSD17382F4

您好!

栅极和源极之间的 ESD 保护二极管是否会短路负 Vgs? 或者这是双极(背对背)器件吗?

此致、

JEF

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    您好,Jef,

    感谢您关注 TI FET。 CSD17484F4在栅极和源极之间使用了单端 ESD 保护二极管。 如果源极电压比栅极电压高出超过结压降、则二极管将正向偏置钳位 VGS、约为-0.7V。 如果这是一个问题、TI 还提供了具有背靠背 ESD 保护结构且采用相同封装的 CSD17382F4。 请注意、背靠背 ESD 结构会导致更高的漏电流 IGSS 和 IDSS。 有关 TI FET 中使用的 ESD 保护的更多信息、请参阅以下链接中的技术文章。

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2020/06/22/what-type-of-esd-protection-does-your-mosfet-include

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    您好、John:

    感谢您的快速回复。 这回答了我的问题。

    此致、

    JEF