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[参考译文] TPS3899:计算的检测延时时间值之所以略有不同、

Guru**** 2505345 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1334946/tps3899-the-reason-why-the-calculated-value-of-detect-time-delay-is-slightly-different

器件型号:TPS3899

对于检测时间延迟(td CCTS_EXT)、例如、当使用 CCTS_EXT:1μF 时、数据表第5页的值与第14页的计算公式之间略有不同。

・第5页:619ms

・第14页:655ms

假设计算值是更精确的延迟时间、我是否正确?

您能告诉我出现差异的原因吗?

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Satoshi San、

    感谢您的提问。 为了明确说明、典型值通常来自我们在工作台上测量的值、而不同的方程则涵盖了更多情况。 它们应该仍然与本例中的情况非常相似。  

    我得到了一些测试台结果来解释您的问题。 请在下面的中找到它们。 即使这两种情况的 CTR = 0.1uF、我也得到了不同的复位延迟。  

    当 Vdd = 3V 时、 测得 tctr = 61.78ms

    当 VDD= 5V 时、测得 Tctr = 64.18ms

    检测或复位延迟因外部电容器(CCT_EXT)、CTS 和 CTR 引脚内部电阻(RCT)和常数而异。 输入压摆率和/或 VDD 电平等测试条件 也可能会影响角色接通延迟、如上所示。  

    我建议使用公式1 (在6.3 用户可编程感应和复位延时 时间部分中)来计算典型的延时时间。 您还可以使用公式6和公式7来计算可能实现的最小和最大复位和检测延迟。 通过这种方法 、您可以更好地了解延迟的预期结果。

    希望这对您有所帮助!

    此致、

    锡拉  

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    您好、Sila:

    感谢您的回复。

    关于您收到的答案、我可以问您几个问题吗?

    -为了确保这一点,我是否理解数据表中列出的619ms 不是一个拼写错误?

      或者、如果您在公式(1)中将"-ln (0.27)"更改为"-ln (0.29)"、则619ms 适用、但这是否可能是一个拼写错误?

     -如果正确,请告诉我 VDD 条件和 RCT 的最小-最大范围等 td sense 是619ms?

    一位客户对标有619毫秒作为典型值这一事实感到不自在、并询问了上述问题。

    他们请求获得结果为619ms 的条件和关系表达式。

    此致、

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    尊敬的 Satoshi San、

    如果您查看数据表、会发现 VTH_CTS 和 VTH_CTR 定义为 0.73*Vdd。  

    通过使用 RC 公式、我们得到-ln (0.27)。  

    0.73 * Vdd = Vdd (1 - exp (-t/RC))   -> t =- ln (1 - 0.73)* 500k * CCT_EXT =- ln (0.27)* 500k * CCT_EXT

     他们可以使用此公式来计算电容值、然后他们可以使用公式6和7中的电容值来获取最小和最大延迟。

    您能否说明他们的延迟要求是什么、以便我为您提供更多帮助?  

    此致、

    A·西拉  

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    你好,Sila

    感谢您的建议、

    您能让我确认一下 VDD 情况吗?

    我了解到延迟时间因 VDD 而异、但数据表中的测试条件为0.85V≤VDD≤6V。

    因此我无法确定具体条件。

    我想知道精确的 VDD 测试条件。

    507μs 要求为:CCT:150pF、tpd:639μs (μ V_min ~ 827μs μ V_max)、VDD 为3.3V。

    此致、

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    尊敬的 Satoshi San、

    感谢您分享延迟要求。 我咨询了我的团队、发现 典型值是来自数据表上所有 VDD 电压范围的平均值。 因此、我可以分享的测试条件不止一个。

    我还想澄清一下为什么 VDD 会略微影响复位和检测延迟。 如果您看一下功能方框图、会发现 CTR 和 CTS 引脚被内部上拉至 VDD。 这就是为什么 VDD 发生变化时、我们很有可能看到这种变化。

    希望这对您有所帮助! 如果您有任何问题、请告诉我。  

    此致、

    A·西拉  

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    你好,Sila

    感谢您提供的信息。

    由于没有基于 VDD 差异的计算公式、您能否提供以下附加信息?

    ・将 VDD 考虑在内的计算公式(如果有的话最好)

    ・充电电流值或计算方法

       我根据上拉电阻器计算得出它、但与数据表的延迟时间619ms 不匹配。

    此致、

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    尊敬的 Satoshi San、  

    公式6和7应该涵盖所有差异、但为了帮助您更多、我可以测量您之前提到的电容值的检测和复位延迟( CCT:当 VDD 为0.9V ( VDDmin)、3.3V 和'6V (VDDmax)时为150pF)。

    我将在星期二结束前分享我的结果。  

    此致、

    A·西拉  

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    您好,Sila San

    感谢您的热情支持、

    我期待您的最新动态。

    抱歉、我在下面发现了错误信息;

    " 507μs 要求为、CCT:150pF、tpd:639μs (Δ VIN_min ~ 827μs 最大值)、VDD 为3.3V。"

    ⇒CCT:150pF 不 507μs、仅需 tpd:639μs (Δ VIN_min ~ 827μs 最大值)、VDD 为3.3V。

    顺便说一下,方程(6)和(7)描述了 td_sense , 这个最小~最大值(- ln(0.29 )到- ln( 0.25 ))值也可应用于 td 是否正确?

    此致、

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    尊敬的 Satoshi San、

    不用担心! 感谢您的澄清。

    为了明确您的延迟要求 td:639μs 要求、您应该使用900 pF。 (使用第7.3.2节中的公式1)

    我没有那个确切的电容值、因此我使用了820 pF 来帮助您进行延迟计算和测量。

    当  CCT_EXT = 820 pF =>- ln (0.27)* 500k * CCT_EXT + 50us =>计算出的延迟为587us。

    请在下面的中找到我的测量延迟。  

    td = 583us

    Tsense = 593us

    (VDD =3.3V、CTS =820 pF、CTR =820pF)

     

    我希望这能给你澄清。 您的延迟要求相当宽 ( 507μs _min ~ 827μs _max ) ,所以请随意使用介于800pF - 1.1nF 之间的电容值。 延迟应在该范围内。

    此致、

    A·西拉