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器件型号：TPS3899 对于检测时间延迟(td CCTS_EXT)、例如、当使用 CCTS_EXT：1μF 时、数据表第5页的值与第14页的计算公式之间略有不同。
・第5页：619ms
・第14页：655ms
假设计算值是更精确的延迟时间、我是否正确？
您能告诉我出现差异的原因吗？
此致、
聪
对于检测时间延迟(td CCTS_EXT)、例如、当使用 CCTS_EXT：1μF 时、数据表第5页的值与第14页的计算公式之间略有不同。
・第5页：619ms
・第14页：655ms
假设计算值是更精确的延迟时间、我是否正确？
您能告诉我出现差异的原因吗？
此致、
聪
尊敬的 Satoshi San、
感谢您的提问。 为了明确说明、典型值通常来自我们在工作台上测量的值、而不同的方程则涵盖了更多情况。 它们应该仍然与本例中的情况非常相似。
我得到了一些测试台结果来解释您的问题。 请在下面的中找到它们。 即使这两种情况的 CTR = 0.1uF、我也得到了不同的复位延迟。
当 Vdd = 3V 时、 测得 tctr = 61.78ms
当 VDD= 5V 时、测得 Tctr = 64.18ms
检测或复位延迟因外部电容器(CCT_EXT)、CTS 和 CTR 引脚内部电阻(RCT)和常数而异。 输入压摆率和/或 VDD 电平等测试条件 也可能会影响角色接通延迟、如上所示。
我建议使用公式1 (在6.3 用户可编程感应和复位延时 时间部分中)来计算典型的延时时间。 您还可以使用公式6和公式7来计算可能实现的最小和最大复位和检测延迟。 通过这种方法 、您可以更好地了解延迟的预期结果。
希望这对您有所帮助！
此致、
锡拉
尊敬的 Satoshi San、
如果您查看数据表、会发现 VTH_CTS 和 VTH_CTR 定义为 0.73*Vdd。
通过使用 RC 公式、我们得到-ln (0.27)。
0.73 * Vdd = Vdd (1 - exp (-t/RC)) -> t =- ln (1 - 0.73)* 500k * CCT_EXT =- ln (0.27)* 500k * CCT_EXT
他们可以使用此公式来计算电容值、然后他们可以使用公式6和7中的电容值来获取最小和最大延迟。
您能否说明他们的延迟要求是什么、以便我为您提供更多帮助？
此致、
A·西拉
你好，Sila
感谢您的建议、
您能让我确认一下 VDD 情况吗？
我了解到延迟时间因 VDD 而异、但数据表中的测试条件为0.85V≤VDD≤6V。
因此我无法确定具体条件。
我想知道精确的 VDD 测试条件。
507μs 要求为：CCT：150pF、tpd：639μs (μ V_min ~ 827μs μ V_max)、VDD 为3.3V。
此致、
聪
尊敬的 Satoshi San、
感谢您分享延迟要求。 我咨询了我的团队、发现 典型值是来自数据表上所有 VDD 电压范围的平均值。 因此、我可以分享的测试条件不止一个。
我还想澄清一下为什么 VDD 会略微影响复位和检测延迟。 如果您看一下功能方框图、会发现 CTR 和 CTS 引脚被内部上拉至 VDD。 这就是为什么 VDD 发生变化时、我们很有可能看到这种变化。
希望这对您有所帮助！ 如果您有任何问题、请告诉我。
此致、
A·西拉
您好，Sila San
感谢您的热情支持、
我期待您的最新动态。
抱歉、我在下面发现了错误信息；
" 507μs 要求为、CCT：150pF、tpd：639μs (Δ VIN_min ~ 827μs 最大值)、VDD 为3.3V。"
⇒CCT：150pF 不 507μs、仅需 tpd：639μs (Δ VIN_min ~ 827μs 最大值)、VDD 为3.3V。
顺便说一下,方程(6)和(7)描述了 td_sense , 这个最小~最大值(- ln(0.29 )到- ln( 0.25 ))值也可应用于 td 是否正确?
此致、
聪
尊敬的 Satoshi San、
不用担心！ 感谢您的澄清。
为了明确您的延迟要求 td：639μs 要求、您应该使用900 pF。 (使用第7.3.2节中的公式1)
我没有那个确切的电容值、因此我使用了820 pF 来帮助您进行延迟计算和测量。
当 CCT_EXT = 820 pF =>- ln (0.27)* 500k * CCT_EXT + 50us =>计算出的延迟为587us。
请在下面的中找到我的测量延迟。
td = 583us
Tsense = 593us
(VDD =3.3V、CTS =820 pF、CTR =820pF)
我希望这能给你澄清。 您的延迟要求相当宽 ( 507μs _min ~ 827μs _max ) ,所以请随意使用介于800pF - 1.1nF 之间的电容值。 延迟应在该范围内。
此致、
A·西拉
