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大家好、
您能否透露从150kHz 到30MHz 的 CISP32 B 类的 EMI 标准数据?
此外、QP 在低于2MHz 的较低频率下较高。
您能告诉我们如何对此采取对策吗?
此致、
柳。
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大家好、
您能否透露从150kHz 到30MHz 的 CISP32 B 类的 EMI 标准数据?
此外、QP 在低于2MHz 的较低频率下较高。
您能告诉我们如何对此采取对策吗?
此致、
柳。
柳
30MHz 意味着您需要 CE 测试。 请参见随附的。 此外、由于2MHz 低于基本开关频率(8MHz)、您要测量的噪声可能来自系统内的另一个来源、也可能来自 EMI 测试设置本身。 电缆类型和长度在 CSIPR CE 测试中起着重要作用。 使用短屏蔽电缆(如果可能)。 考虑使用 UCC12050EVM-052中所示的内部 PCB 拼接电容器 、除此之外、在 UCC12050的 VINP 和 GNDP 输入侧添加两个铁氧体磁珠的可能性。
e2e.ti.com/.../UCC12050-CISPR32-EMI-RE-CE。pdf
此致、
史蒂夫
柳
对于 CISPR 32、我们没有使用外部 Y 电容的示例、因为我们发现它不是通过所必需的、甚至是 B 类限制。 我们确实展示了是否使用 PCB 拼接电容器、该电容器的作用与外部 Y 电容器相同。 从前面我共享的 pdf 文档中、将第11页(无 PCB 拼接电容器)的 CISPR 32结果与第12页(有 PCB 拼接电容器)的结果进行比较。
对于 CISPR 25、我们建议使用 Y-cap、UCC12051-Q1 CISPR 24 EMI 报告中对此进行了详细说明 。
此致、
史蒂夫
你好,柳
我相信您在谈论的是 CIPSR 32 EMI 结果。
CISPR 32 CE:结果显示了带和 不带铁氧体磁珠的器件之间的比较(第14页和第15页)。 添加铁氧体磁珠改善了@700kHz、8MHz 和16MHz。 这些结果中未添加 Y 形电容。
CISPR32 RE:结果显示了带有和不带缝线帽的器件(第11页和第12页)的比较。 添加层间缝线帽显示了100MHz 到700MHz 范围的改进。
Y 电容器 EMI 结果 显示在 CISPR 25报告中、而不是 CISPR 32中(尽管在第9页中提到了使用它的优势)
谢谢!