主题中讨论的其他器件: CSD18534Q5A、 BQ25756
大家好、
我在设计中遇到一些可以考虑到热分析的问题。
我用 CSD18540Q5B MOSFET 晶体管设计了一款降压/升压转换器(用作升压转换器)。
此处、我提供了我的设计的一些详细信息:
- fsw = 250kHz
- VIN = 20V
- 输出电压= 40V
- 输出电流= 2A
- L = 15uHy
在进行功率耗散分析时、我得到了以下结果:
- 电源@顶部 MOSFET (来自降压/升压转换器): 1.02W
- Pbottom @底部 MOSFET (来自降压/升压转换器): 1.70W
(该分析来自: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq25756.pdf?MOSFET=1709829200271&ref_url=https%253A%252F% 252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FBQ25756 - 9.2.1.2.8功率 ts 选择)
考虑到 Rja 和25°C 的环境温度、我估计:
- TJ 顶部= 75.76 °C
- TJ 底部= 109.86 °C
但是、实际 PCB 板上进行的热测量表明 MOSFET 在外壳温度下加热到70°C (基于此测量值、TJ 必须大于计算值)。
我如何添加定制 PCB 来估算外壳温度?
在我的问题中添加了另一个细节、即估计的损耗功率低于实际损耗。
谢谢