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[参考译文] BQ25155:VBUS 至 BAT 最小余量

Guru**** 1839620 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1337482/bq25155-vbus-to-bat-minimum-headroom

器件型号:BQ25155

您好!

我们的客户对从 VBUS 到 BAT 的最小余量电压有疑问。

正如我在数据表中看到的、它似乎由 VDPPM 和 Ron (PMID 到 BAT)定义。 例如、由于 PMID 电压是在4.5V 默认条件下调节的、因此有必要了解从 PMID 到 BAT 的压降。

如果上述理解是正确的、您能否告诉我我们如何估算245mA 充电电流情况下的 PMID 到 BAT 压降?

如果上述理解不正确、您能告诉我、我们如何估算 VBUS (输入)到 BAT 最小余量电压?

此致、

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    您好!

    关于最小余量电压、这是由高于 BAT 的 PMID 电压决定的、因为 BATFET 上的电压决定充电能力。  为了正确理解问题、您希望通过将 PMID 调节到准确充电所需的最小电压来最大限度地降低 PMID 与 BAT 之间的电压。  

    PMID 通常必须比 BAT 高200mV (VDPPM)、以确保充电不会降低。 245mA 上的压降将取决于充电期间 BATFET 的 Rdson、它会根据温度发生一定程度的变化。 确定压降的最佳方法是使用 ADC 通道测量两个引脚上的电压。 充电电流 ADC 通道还可以提供信息以确保充电电流不会减小。

    此致。

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    非常感谢您的反馈。

    我不确定他问的原因、但我知道电池跟踪操作中输入到 BAT V (IN 到 BAT)的最小余量电压=输入电流 x Ron (IN-PMID)(最大520M Ω)+ VDPPM (200mV)。

    此致、

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    您好、

    通常200mV 将大于充电电流 x Ron、但不需要添加这些值。

    此致。

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    您好、Juan:

    这是否意味着最小余量电压通过输入电流 x Ron (IN-PMID)+ VDPPM 进行高效估算、但通过 VDPPM 进行粗略估算、因为在典型条件下 VDPPM >>输入电流 x Ron (IN-PMID)?

    如果我的理解是正确的、我将关闭该主题。

    此致、

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    您好、

    我误解了您的上一个问题、我认为您的意思是 PMID 的最小余量电压。 是输入最小余量将由 VDPPM +(IIN x Ron)描述。 可以在大多数使用情况下估算典型条件下的 Ron、但温度可能会有一些变化。

    此致、

    胡安·奥斯皮纳

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    非常感谢。

    我们可以结束本次问答。