您好!
我们的客户对从 VBUS 到 BAT 的最小余量电压有疑问。
正如我在数据表中看到的、它似乎由 VDPPM 和 Ron (PMID 到 BAT)定义。 例如、由于 PMID 电压是在4.5V 默认条件下调节的、因此有必要了解从 PMID 到 BAT 的压降。
如果上述理解是正确的、您能否告诉我我们如何估算245mA 充电电流情况下的 PMID 到 BAT 压降?
如果上述理解不正确、您能告诉我、我们如何估算 VBUS (输入)到 BAT 最小余量电压?
此致、
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您好!
我们的客户对从 VBUS 到 BAT 的最小余量电压有疑问。
正如我在数据表中看到的、它似乎由 VDPPM 和 Ron (PMID 到 BAT)定义。 例如、由于 PMID 电压是在4.5V 默认条件下调节的、因此有必要了解从 PMID 到 BAT 的压降。
如果上述理解是正确的、您能否告诉我我们如何估算245mA 充电电流情况下的 PMID 到 BAT 压降?
如果上述理解不正确、您能告诉我、我们如何估算 VBUS (输入)到 BAT 最小余量电压?
此致、
您好!
关于最小余量电压、这是由高于 BAT 的 PMID 电压决定的、因为 BATFET 上的电压决定充电能力。 为了正确理解问题、您希望通过将 PMID 调节到准确充电所需的最小电压来最大限度地降低 PMID 与 BAT 之间的电压。
PMID 通常必须比 BAT 高200mV (VDPPM)、以确保充电不会降低。 245mA 上的压降将取决于充电期间 BATFET 的 Rdson、它会根据温度发生一定程度的变化。 确定压降的最佳方法是使用 ADC 通道测量两个引脚上的电压。 充电电流 ADC 通道还可以提供信息以确保充电电流不会减小。
此致。