您好！
上一篇文章的后续问题。
我附上下面的两张图片只是为了听到是否有人可以确认这些看起来是好的。 所示为开关节点(SW)的上升沿和下降沿。 输入为28V、未加载输出。 它的运行频率为250kHz。
我使用 SW 节点测量了 HO 输出切换器。 黄色迹线为 HO 和橙色 SW。 我发现差分电压仅为3.66V、似乎有点低而无法完全导通顶部 MOSFET？
谢谢！
大家好、Thomas：
打开开关看起来有点慢、如果使用栅极驱动电阻器、请减小值。
Re HO 电压电平：您是否能够确保基准点完全相同并重新测量？ 谢谢。
大卫。
David、您好！
实际上所有 FET 的栅极都有一个0欧姆的电阻器。 如您所见、我使用外部 LDO 为 VCCX 供电。 这应该具有足够的功率来导通 FET。 其中一个原因可能是两个并联的 FET 数量过多。
你对参考点是正确的,我也注意到它后的上一个帖子。 我发现在探针上需要校准一点、但在此之后、我测量了相同的电压差。 明天我先给大家展示一张图片。
David、您好！
没问题。
好的、因此开关节点的上升下降图符合预期。 我想这会是 FET 的 Q_GATE 和 RDS_ON 之间的一个甜点吗？
首先、我使用计算器电子表格。
到目前为止、热性能还行、但我需要在下一次旋转时更充分地冷却 FET。
关于 HO 和 SW 的波形图、我是否应该不会指望会有5V 电压？
Br. Thomas
David、您好！
好的。 我明天将尝试测量这一点。
我可以看到 LM5148中有一个内部二极管。 数据表还在首页上展示了这一点、在首页上使用了外部肖特基二极管。 这可行吗？
Br. Thomas
David、您好！
进行了两次测量、并激活了平均值计算。
两个探针均悬空并使用数学函数进行测量
2.两种探头都使用接地夹进行测量：
两者测量的结果相同。 我想您认为内部二极管压降+一些额外损耗是导致低电压的原因。 我将看到我是否可以安装在肖特基二极管中。
将自举二极管从100nF 更改为1uF、这有助于将电压稍微增加到4V 以上。 我觉得这很有道理、因为有两个并联的 FET。
从 VCC 添加了肖特基二极管以用于引导。
Br. Thomas
