主题中讨论的其他器件： TPSI3052-Q1、
您好、如果我的任何问题之前已得到解答、但我看不到任何直接链接、非常抱歉。
我想驱动3个 FET、以使用 TPSI3050短接 BLDC 的相位。 全部三个的组合栅极电容为12nF、组合栅极电荷为~120nC (在 TPSI3050 10V 驱动电压下)。 它们将通过1kHz PWM 的占空比进行控制、我希望在完全制动 FET 时看到流经电机的电流高达25Apk-pk。
首先、这听起来是否合理？ 使用基本 t=CV/I calc、我能否估计上升时间(基于1.5A 的 TPSI 峰值驱动电流)为~12nF*10V/1.5A =~80ns？ (最好的情况是、由于电路中可能会限制 I 的任何损耗)并且给定1kHz 的 PWM (因此周期时间为1ms)、我应该有足够的时间为 FET 的每个开关之间的 VDDH/VDDM 电容器充电？ 计算器工具提示、在 Cdiv1、Cdiv2 =每个500nF 时、我会看到 VDDH 上的最大骤降为0.492V、并且即使在最低 PXFR 设置(7.32kR)下、电源轨在1.51.51.5us 后仍能完全恢复(允许最大切换速度为6.6kHz)。 我是否正确地解释了所有这些？
在这种情况下、提高 PXFR 值是否有任何好处？ 它不会给我带来任何更快的切换时间、它只是让电路恢复得更快吗？
是否有理由驱动10V 而不是5V？ Vgs (th)往往低于5时、情况如何？ 是为了尽可能降低 RDS (ON)吗？ 这是否会增加过冲损坏的风险、例如 VGSMAX 的 FET 是+/-12V？
而且、这似乎是市场上唯一具有集成隔离式电源的专用隔离式栅极驱动器 、似乎是空间受限设计的绝佳解决方案、想知道为什么所有其他供应商都需要外部隔离式电源？！
非常提前感谢、
谢谢、
戴夫
