您好,
我们设置 Rimon= 5.36k Ω 1%、RSET= 100ohm 1%、RSNS=0.5m Ω 1%。 根据数据表中的公式、当 ILOAD = 1A 时、IMON = 24.1mV;当 ILOAD = 10A 时、IMON = 241mV。
考虑到所有容差、Iload =10A 时 IMON 的最大值不会超过248mV。
方程式:
计算:
n‘t、测量值没有这样的 Δ T。 什么可能是原因?如果需要,我可以私人发送 SCH。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好,
我们设置 Rimon= 5.36k Ω 1%、RSET= 100ohm 1%、RSNS=0.5m Ω 1%。 根据数据表中的公式、当 ILOAD = 1A 时、IMON = 24.1mV;当 ILOAD = 10A 时、IMON = 241mV。
考虑到所有容差、Iload =10A 时 IMON 的最大值不会超过248mV。
方程式:
计算:
n‘t、测量值没有这样的 Δ T。 什么可能是原因?如果需要,我可以私人发送 SCH。
您好、Wang、
您能否分享原理图和布局以供查看?
Rsense 是否遵循开尔文感测方法?
您是否测量了相对于器件接地的 IMON 电压?
此致
勒凯什
1.我测量了另一个电路板、结果如下所示。 第四列是 VRSNS Measured 乘以计算得出的增益。
IMON 仍然比预期的要大。
2.是的,我确信 IMON 是相对于器件接地进行测量的。
为什么电流为15A 时 VRSNS 是8.1mV? 它应为0.5m Ω*15A = 7.5mV。 这种区别来自哪里?
我不知道、可能有一些噪声。 我已经把最高法院秘密交给你了。
您可以在 CS+和 CS-之间靠近 IC 引脚添加10nF 电容器并重试一次。
IMON 测量结果偏离很大是意料之中的。
我使用高精度万用表重新测量了该电路板、并在 CS+和 CS-之间添加了10nF 电容器、正如您所说的。 结果如下:
它看起来与原始结果类似。 顺便说一下、即使 VRSNS 是8.1mA、 如果是8.1mV 乘以增益、VIMON 也应该是398mV。 您是否测量了 ILOAD 与 VIMON?它是否与计算值匹配?
我们在评估中没有看到任何此类不匹配情况。
您的原理图看起来没有问题。 在布局中、对于 Rsense 的开尔文检测尚不清楚。 这将对 OCP 和 IMON 结果产生重大影响。
为确认、您可以将 Rsense 增大到1m Ω 并观察到精度提高
此致、
勒凯什
布局中的开尔文检测意味着?数据表中的,Δ t 看起来像是差分布线。 它们是一样的吗?
您好、Wang、
是的、开尔文检测 与 差分布线相同。
此致
勒凯什