您好！
继续我发表的上一篇文章 ("UCC28061：功率 MOSFET 有时会熔断") 我想和您分享新的测量结果、并探讨此设计中 MOSFET 可能存在的问题。
请查看以下测量结果：
1.测量启动时 U1的 GDA、GDB 引脚(CH-1 GDA, CH-3 GDB)-输入电压220V AC: 
2. 测量启动时的 GS-Q1和 GS-Q3 -输入电压220V AC： 
3. 测量 GS-Q1、GS-Q3为200W -输入电压220V AC： 
4.测量启动时 CH1的 Gs -输入电压220V ,用更好的示波器(500MHz): 
5.在启动时测量 VCC： 
6. 测量 CS 引脚(U1)、GS-Q1 @ 170W (CH-1：GS、CH-3：CS)-输入220V AC： 
7.测量 CS 引脚、GS-Q3启动(CH-1：GS-Q3、CH-3：CS 引脚)-输入220V AC： 
8.测量 Q3在启动时的 DS 电流：
注意：请注意、事实证明准确测量 MOSFET 的漏源电流具有挑战性。 为了简化测量、我必须在漏极和 PCB 之间添加一根导线。 但是、每次 MOSFET 在大约5秒后爆炸、使我无法获得测量值。 在最后一次尝试中、我使用了尽可能短的粗导线来测量电流。 尽管进行了多次测量、MOSFET 在几次启动后再次爆炸。
请参阅图：
1.测量设置失败： 
2.成功的测量 设置： 
测量 结果： 
尊敬的 Ulrich：
感谢您的答复。
如原理图中所示、有两个反激式器件：一个专用于驱动模块(主控制器)、而另一个用作电源(使用 UCC28061)。 最大功率输出估计约为600W、输出电压为48V、最大电流为12.5A。 输入电压范围为85V 到265V AC、频率范围为47至60Hz。
将 PCB 连接到电源并激活后、主控制器通电。 然后发送信号、将继电器(K2、然后 K1)切换至 ON (打开)位置。 随后、主控制器在授权为输出供电之前验证线路上是否存在输出从器件。 因此、启动后会立即消耗极小的电流、从而实现光启动。
因此、我选择了在启动期间不使用散热器来测量 Q3的漏源电流。
最初、我曾尝试使用散热器来实现；但是、使用位于 PCB 顶部的带有大型散热器、电容器和变压器的功率元件确实具有挑战性。 因此、我诉诸更长的导线将 Q3的漏极连接到 PCB、从而与电流探针连接。 遗憾的是、MOSFET 在启动时爆炸、使我怀疑我添加的导线可能导致了问题的产生、正因为如此、我从照片中看到、将 MOSFET 焊接到 PCB 的 Bot 侧进行测量！ 
有关 MOSFET 的问题、 我们仅在 SEMI 上使用新的 MOSFET Q1 Q3进行了替换。
MOSFET 的区别如下所示：
左侧是来自 ST 的原始(旧) MOSFET、右侧是来自 on-semi 的新 MOSFET、故障很多。 
尊敬的 Ulrich：
上面看到的照片是在我使用"尖端和桶"测量 GDA、GDB、U1的 CS 和 Q1的 GS 和 Q3的 GS 时拍摄的。 但无论如何、借助500MHz 示波器、我能够捕获尖峰(非常窄、例如小于50ns)。 请参见测量设置的以下图像：
照片左侧是测量 MOSFET 的 GS、右图显示了测量 U1的 GDA、GDB 引脚：
在启动阶段、GS 信号不依赖于 MOSFET 类型。 该阶段启动系统启动、将其转换为输出电压约为10V 的待机模式。 该系统等待从器件与输出线(48VPLN-、48VPLN+)的连接。 如果主控制器检测到这些器件、则输出电压会切换到48V、从而使系统能够正常运行。 随后、MOSFET 会根据负载要求调整其开关行为。
启动时间最初约为28ms、然后系统将 进入待机模式、等待用户开启负载。
仅供参考：从属设备为用户键盘接口和 LED 驱动器、用户可通过用户界面键盘控制灯光。 
我将进行测量以测量 PFC 输出(我想测量 C5)、但我不知道您对 OV 有什么看法？ 我应该在哪里准确地测量,我没有得到!
尊敬的 Ulrich：
我进行了更多测量、请参阅以下结果：
测试设置： 
测量以下点：
CH-1：DS-Q3
CH-2：GDA-U1
CH-3：C5
1.启动(200ms/dev) 
2. 启动(50ms/dev)： 
3. 750ms 后启动+ 100W 负载： 
4. 启动(5ms/dev)： 
不过、我知道您对 OV 的看法是什么、请让我来衡量一下。
尊敬的 Ulrich：
我进行了更多测量、请参阅以下结果：
测试设置： 
测量以下点：
CH-1：DS-Q3
CH-2：GDA-U1
CH-3：C5
1.启动(200ms/dev)
2. 启动(50ms/dev)：
3. 750ms 后启动+ 100W 负载： 
4. 启动(5ms/dev)：
不过、我知道您对 OV 的看法是什么、请让我来衡量一下。
尊敬的 Farhad：
感谢您提供的其他波形。 我同意、您肯定会使用尖端和桶形方法进行探测。
"OV"表示的不是"零伏"。 它是过压(Over-Voltage)的缩写。
我的意思是比较使用旧 FET 和新 FET 时 PFC 输出在启动时的过冲、看看是否有差异。
我很好奇、FET 的 Coss 差异是否会导致不同的关断延迟(每个开关周期)、从而导致启动时明显更高或更低的过冲(过压)。 我想知道、高 OV 和杂散电感产生的高尖峰是否会使新 MOSFET 的 VDS 承受过大的应力。
要检查此情况、您必须在5~10us/div 扫描速率下检查最后几个 Vds 周期、无 BW 限制。 这是 OV 的最高位置。
此致、
乌尔里希
