[参考译文] BQ25303J：EMI 辐射测试失败

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1225322/bq25303j-emi-radiation-test-fail

器件型号：BQ25303J

大家好、

我的客户正在使用 BQ25303J、发现 EMI 辐射测试失败。

您有什么有助于提高 EMI 性能的建议吗？比如布局改进或添加 RC 缓冲器等等？

2.客户还考虑添加一个10欧姆的电阻器与 BTST 电容器串联、这有帮助吗？如果有帮助、在这种情况下10欧姆电阻器是合适的？

这是原理图和布局、如果您需要更多信息、请告诉我。谢谢。

此致、

内森

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2507765 points

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Nathan、

以下操作可能会有所帮助：

1)添加1nF PMID、SYS、VBUS、BAT
建议使用 X7R 1nF (0402)、其谐振频率通常大于300m。请咨询供应商以了解阻抗响应。
优先级最高的是 PMID 上具有最小环路和 IC 的电容。
2)较慢的 SW 节点开关压摆率
BTST 上的电阻器空间、以便在需要时调整压摆率。
电阻值越高(压摆率越低)会对转换器效率产生不利影响。建议 BTST 电阻为5 Ω 或更低。
3)使用缓冲器降低 EMI
SW 上的缓冲器(电阻器和电容器)空间、用于控制 EMI 源
组件必须放置在最靠近 SW 的位置才能有效使用
4)使用屏蔽式输出电感器。
5)负载连接也非常重要。更宽、更短的外部导线可能会提高 EMI 性能。

谢谢。

宁

电源管理（参考译文帖）

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