是否可以将 R37、R38、R20替换为单个19.6k 电阻器?
D11和 D12有什么用途? 如果将其移除、会产生什么后果?
谢谢
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是否可以将 R37、R38、R20替换为单个19.6k 电阻器?
D11和 D12有什么用途? 如果将其移除、会产生什么后果?
谢谢
您好 Valentinas、
这些元件的排列方式可防止在500Vdc 输入下工作时损坏 UCC28781-Q1的 VS 输入。
该器件的 VS 引脚的绝对最大电流额定值为2mA。 从 VS 引脚拉取更高的电流会随着时间的推移降低控制器的性能、并最终导致故障。 当初级 MOSFET 导通时、齐纳二极管 D12将 R20上的电压钳位至27V、从而将 IVS 限制为27/15.4k = 1.75mA 最大值。
如果没有这个齐纳钳位,对于相同的最大 IVS,最大直流输入电压将被限制在1.75mA *19.6k*6.6 = 226Vdc。
二极管 D11在一个周期的退磁阶段会阻止正电流通过齐纳二极管 D12。
R37和 R38构成了 与 R20串联所需的额外电阻、以在降压期间将 OVP 电平设置为 VS。 它们被拆分为 两个0402尺寸的元件、以在输入电压为500Vdc 且 FET 导通期间 AUX 绕组电压为-76V 时维持耗散(带余量)和电压应力。
此致、
乌尔里希
尊敬的 Valentinas:
6.6因子是初级绕组与辅助绕组的匝数比。
是的、对于低压输入、可使用单个电阻器实现 Rvs1的功能、无需使用 D11和 D12。
对于任何在最高输入电压下 IVS (max)可保持低于2mA 的情况都是如此。
请注意、Rvs1值可能不同于19.6k。 该值特定于 UCC287821 EVM 设计。
D11和 D12的唯一作用是在高电压情况下保护 VS 输入免受过流的影响。
是否需要低于取决于最大输入、匝数比和目标启动电压。
对于这些因素中的每一个因素、不同的设计通常具有不同的值。
此致、
乌尔里希