大家好、
我的客户使用 TL431B 生成稳定电压、作为半桥高侧 FET 的驱动器。 电路如下所示(参见黑色)
如果没有负载、Vout 稳定为17.9V、但是如果加入 MOS (即、添加~μ V 20mA)、Vout 会下降很多到~15V。 但是、如果使用其他供应商提供的 P2P 设备、它始终是稳定的。 由于 Vout/Vin 具有浮动 GND 基准( FET 的源极为高电压),我怀疑它与共模电压有关。
此外,我们发现添加一个1nf 电容器与1kohm 并联(如红色所示),那么没有这样的问题。
请您就此添加您的评论吗？ 谢谢。
BRS
假设
Andrew、您好！
感谢您的答复。
但我对你们的答案感到困惑。 根据您提到的应用手册、它指示 Cload 和 Ika 范围的稳定性、 但正如您从 sch 可以看到的、几乎没有 Cload、或者您的意思是 FET 的 Cgs 等于 Cload？ 但 Cgs 由 MOS 决定、无法更改。
在数据表中、还有如下所示的类似参考设计、且没有 Cload。 区别在于、阳极在客户的应用中连接到悬空 GND。 此外,似乎可以解决问题的1nf 帽 是添加在 BJT 的 C 和 B 之间,这不是 Cload .
请添加您的评论。 谢谢。
BRS
假设
您好、已给出：
出于交流分析目的、1nF 充当 COUT。 ("Vin"和"S"短接)。 我怀疑阴极可能看到其他一些杂散电容、从而使其在没有1nF 的情况下不稳定。 您能否与客户核实是否有任何东西引起了额外的电容？
谢谢。
安德鲁
您好、已给出：
我在您发送的 DS 中找到了一组 TL431。
另外、我不确定 NXP 是否甚至还在制作器件、我认为该器件转移到了 NTreisa。 您能否链接客户正在使用的确切器件？ 
谢谢。
安德鲁
您好、已给出：
我认为这些器件没有太大不同：
您能否使用 TL431LI 让它们检查电路？
https://www.ti.com/product/TL431LI?keyMatch=TL431LI&tisearch=search-everything&usecase=GPN
谢谢。
安德鲁
