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[参考译文] UCC28781-Q1：耗尽型 MOSFET 处于&gt；1kV

admin
Guru**** 1940910 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28781-Q1, UCC28C56EVM-066, UCC28781
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1208194/ucc28781-q1-depletion-mosfet-at-1kv

器件型号：UCC28781-Q1
主题中讨论的其他器件： UCC28C56EVM-066、 UCC28781

看来>1kV 耗竭 NMOS 花费了一大笔钱,因此我正在寻找其他可能的解决方案。

是否可能需要一个齐纳二极管通过高压电阻器降低30V？ 问题是、我不知道为了保持系统稳定真的需要多少电流 SWS。 请告诉我。

提前感谢

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    TI__Guru**** 1940910 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Valentinas、  

    SWS 输入执行两个功能：启动和 ZVS 感测。   
    上述建议的齐纳电路将仅解决/允许启动功能。  (耗尽型 FET 通常允许1 -2mA 的直流启动电流。 在此模式下、稳定性不是问题。)

    建议的电路会将感应 FET 与开关节点断开、因此在启动后、将无法检测和控制波形的 ZVS 点。  如果没有感应到的到 ZVS 调谐器块的反馈、调谐器将在一侧饱和、并在调谐器允许的最大时间内保持 PWMH 开启。  PWMH 信号驱动 SR_FET、从而允许反向电流在变压器中设置负电流以实现 ZVS。  负电流过大时、效率将非常低、可能无法从转换器拉取全功率。   

    TI 已经认识到这个问题、并开发了一种适应高电压输入的合适方法。  目前有一项专利申请正在申请中,我已请求更新其状态。  我会在收到回复后立即将此状态通知给您。  不幸的是,在获得专利之前,我不能提供任何关于它的信息。   

    此致、
    乌尔里希

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    TI__Guru**** 1940910 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果我们不从 Q2漏极断开、而是将分压器网络连接到该节点、该怎么办？ 那么 IC 应该能够感应开关节点？ 或者、是否没有足够的电流用于该目的？

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    TI__Guru**** 1940910 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Valentinas：  

    SWS 输入需要在不衰减的情况下感测 Q1漏极电压、而耗尽型 FET 在提供该信号的同时将其钳位在15V 左右以保护 SWS 免受高电压影响。   

    我已经被告知专利文书工作已经完成、我能够展示高电压下 SWS 的共源共栅安排。

    其中、HVG 与 UCC28781-Q1的 P13引脚相同。

    它本质上包含两个串联的低电压耗尽型 FET (例如 BSS126)和支持元件。  
    两个600V FET 将此功能扩展到1200V 峰值开关节点电压。 600V 和800V FET 将其扩展到1400Vpk 等。  
    额外的 FET 可以级联来进一步提高电压：  

    VZ 是堆叠到450V (每个3 x 150V)等钳位电压的齐纳二极管、以在保护下行 D-FET 的额定值范围内提供裕度。  
    Rz 为 1MEG、Cff 为1pF。    Cff 用于将交换节点 dv/dt 更快地分配到齐纳管。  

    请考虑 UCC28781-Q1系统的这种布局。

    此致、
    乌尔里希

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    TI__Guru**** 1940910 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢 Ulrich、我很高兴尝试这种方法。

    EVM 中有这个 D6和 R24、它们是否不再需要？  

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    TI__Guru**** 1940910 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Valentinas、  

    我建议将它们放置在级联中最低的 FET 上。   
    我认为我复制这些图的内部文档没有显示它们、因为这样可以避免让图表杂乱、从而分散电路的注意力。  

    当系统不通电时、需要使用 R24为杂散电荷提供放电路径。  
    D6是一款保护器件、通常不执行任何操作、但用于保护 Vgs、"以防"发生严重的瞬态事件损坏 Bulk 电源轨或开关节点。     
    实际上、我不知道每个 FET 是需要 TVS、还是仅知道底部 FET 需要 TVS。  我会看看我是否能找到答案、但我不确定我何时会有答案。  

    同时、UCC28C56EVM-066电路板上已使用该结构的一种形式： https://www.ti.com/lit/pdf/sluucn1 
    其中、它仅用于启动、并且在下部栅极上有一个额外的控制、而 UCC28781电路不需要该控制。  

    此致、
    乌尔里希