[参考译文] LM5146：LM5146RGYR

PS：如果 Vin-max = 60V、则可使用 LM5145 75V 输入版本。

LM5145RGYR、请参阅 https://www.ti.com/product/LM5145#order-quality 

您可以使用 Murata 的工具在给定电压下检查陶瓷的有效电容： https://ds.murata.co.jp/simsurfing/mlcc.html?lcid=en-us&jis=false

以下是室温下22uF/25V/1210/X7R 放大器的曲线图：

尊敬的 Bob：

因此、LM5145的成本较低、这是一个建议。 它们是引脚对引脚兼容的、因此您可以在将来根据需要进行更改。

就 MOSFET 而言、高侧 FET 具有所有的开关损耗、因此可以实现更高的 Rdson (更低的电容)。 低侧 FET 是以导通损耗为主的、尤其是在高降压比下、因此可以降低 Rdson。 我会使用5 x 6mm MOSFET -查看 LM5146 EVM、它是一款12V/8A/400kHz 设计(符合您的规格)。

LM5146快速入门计算器将对您的设计非常有帮助-请完成设计并将其发送审核。

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就输出电容器而言、我建议使用22uF/25V/X7R/1210。 在最高 Vout 设置下、总有效电容将是最低的、因此应设计相应的补偿、然后使用这些值快速检查较低的输出电压。

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尊敬的 Bob：

让我来检查电子邮件的布局。

这3个独立的设计还是仅仅一个具有可调整输出电压的设计？ 如果是后者、则我们使用最高 Vout (最低有效 Cout)设计补偿、然后在补偿值固定的情况下检查较低的电压。

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三种不同的输出电压、但有一种实现方式-那么它具有可调的输出电压、对吗？ 只是想知道我们是否需要为所有三个器件配备一个补偿网络、或者我们是否可以针对每个 Vout 设置对其进行优化。

只看快速入门指南、我发现您没有针对不同的输出电压调整 Cout。 然后针对每个输出电压设定值插入正确的"有效 Cout"、并根据最高 Vout 的稳定性使补偿网络保持恒定。

只看快速入门指南、我发现您没有针对不同的输出电压调整 Cout。 然后针对每个输出电压设定值插入正确的"有效 Cout"、并根据最高 Vout 的稳定性使补偿网络保持恒定。

此外、您还可以在此处使用80V FET 以获得更高的效率。 如果布局良好且最大输入电压仅为65V、则无需使用100V 器件。

我找到了布局。 以下是一些评论：

1. 输出设置的开关看起来很大-可以减少吗？ FB 迹线需要尽可能短、因为这是一个对噪声非常敏感的高阻抗节点(注意高反馈分压器值)。
2. 最好在顶部也有一个输入电容器。
3. 无需 SW 过孔-这些过孔将高 dv/dt 放置在 PCB 的底部(面向 EMI 表)。 由于是辐射平面、因此应最大程度地减小 SW 覆铜。 请参阅 LM5145 EVM 布局、它与此设计类似。 更重要的是、SW 过孔会破坏功率级下的 GND 平面。
4. 分流器看起来非常大、2512。 考虑使用宽高比分流器来降低寄生电感(请参阅 EVM)。

好的、谢谢 Bob。

PS：观察上面这篇文章快速入门计算器的三个截图、Cout 在低 Vout 时应该最高、然后随着更高 Vout 设置点逐渐降低。

不需要、我的意思是选择电容、然后为每个输出设定点插入正确的降额值。 上面的屏幕截图8.4V 为22uF、12.5V 为44uF、这一定是不正确的。

尊敬的 Bob：

这里仍然显示8.4V 输出电压为22uF、但根据陶瓷电压降额的情况、它应该会提供最高的电容。

我假设您要选择一组可用于此可调输出设计的电容器、因此只需输入三个 Vout 级别适用的电容。 实际上，我们通常只检查最小值和最大输出电压--设计环路以获得最大输出电压，并在用较高的有效 Cout 值检查最小输出电压时修正补偿值。

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尊敬的 Bob：

LM5145/LM5146数据表在电压模式控制补偿方面提供了一些实用的信息。 我还在 how2power.com 上有几篇关于电流模式控制的文章、值得查看。

我现在将查看我的收件箱、看看我是否获得了您的最新布局。 从布局的角度来看、LM5145和 LM5146 EVM 实际上是非常好的模板。 此外、数据表中的布局指南也非常全面。

此致、

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尊敬的 Bob：

以下是查看"电压限制器 V1"后的一些注释：

1. 作为此设计中最重要的电容器、4.7uF 输入陶瓷电容器与 FET 的距离太远。 将 FET 拉近、并将0402电容器右移高侧 FET 漏极。 这样可以更紧密地放置1210电容器。 在电容返回端子上添加更多的 GND 过孔。 有关功率级元件放置、请参阅应用手册 SNVA803。
2. 将控制器的 NC 引脚接地(散热效果更好)。
3. 最大限度地减小连接 FET 和电感器的 SW 铜多边形的面积。
4. FET 的栅极和源极焊盘看起来可能更大。
5. 将 SW 过孔移至 FET 附近、使 HO 和 SW 布线彼此靠近布置、实际上形成差分对。
6. 第2层应为功率级下的实心 GND 平面->将 HO 布线移至第3层、并与同一层上的 SW 并行布线。 这也会将高 dv/dt SW 走线从底层取下(注意：底层面向 EMI 表、可以轻松地将噪声耦合到该 GND)。
7. 考虑在 DAP 中为控制器再添加两个过孔。
8. 将 VCC 和引导电容靠近控制器的相应引脚(例如、如果需要、将过孔靠近控制器引脚)。

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此外、还请查看 LM5145 EVM 布局以供参考。 LM5145实际上与 LM5146是相同的控制器、只是更低的 Vin-max 额定值。

尊敬的 Bob：

LM25148的现有情况看起来非常好。 只需将分流器降至3mΩ、就可以在满载到电流限制之间留出一定的裕度。 我们通常建议使用125-150%、因此甚至可将其放入2mΩ。 此外、您可以使用2.2uH 电感器、这是标准值-请查看 Coilcraft XGL 系列电感器。 mΩ 使用陶瓷电容器、输出电容器 ESR 应该为几 μ F。

如果您需要进一步的支持、我建议为 LM25148单独提交 E2E、然后由负责的工程师进行回复。

此致、

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