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[参考译文] TPS40041:总栅极电荷和同步整流器 dV/dt 导通

Guru**** 2507255 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1204249/tps40041-total-gate-charge-and-synchronous-rectifier-dv-dt-turn-on

器件型号:TPS40041

团队成员

 有关总栅极电荷和 MOSFET 阻抗中的

 =>数据表提到"上部开关 MOSFET 的栅极电荷不应低于同步整流器的栅极电荷的60%..."

  问题1)。 同步整流器的栅极电荷是总(高侧和低侧 MOS FET)栅极电荷吗?

关于同步整流器 dV/dt 导通

 =>选择 QGD 与 QGS 之比小于1的同步整流器 MOSFET,并提供宽...

  Q2).是否意味着 QGS/QGD≦1或 QGD/QGS≦1?

  Q3). 同步整流器 MOSFET 是 指高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 还是仅低侧 MOSFET?

此致

达津市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Tatsu:

    对于这款器件、您有很多问题。  您是否正在进行新设计?  如果是、您对 Vin、Vout 和 Iout 有何要求?  该控制器已经很老了、我们可能有更好、更容易使用的解决方案。

    同步整流器(SR)是低侧 FET。

    通常、上部和下部 FET 使用相同的 MOSFET。  否则、上部 FET 的栅极电荷应至少为下部 FET 的栅极电荷的60%。

    对于 SR FET、即  QGD/QGS≦1。

    SR FET 是低侧 FET。

    克里斯