团队成员
让我来询问 SCP。
检测到 SCP 是高侧 FET 还是低侧 FET 的导通电阻?
我在数据表中找到了"SN0805016使用上部 MOSFET 开关的 RDS (ON)作为电流检测、
但观察该器件的内部电路、首先将 SW/2和 VDD 电压与一个放大器进行比较、用作使能信号、并比较和检测 SW 电压和 ILIM 设置。
如果 SW 电压是 GND 基准、则似乎在比较低侧 FET 电压和设置的 ILIM。
我怎么能理解呢?
此致
达津市
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让我来询问 SCP。
检测到 SCP 是高侧 FET 还是低侧 FET 的导通电阻?
我在数据表中找到了"SN0805016使用上部 MOSFET 开关的 RDS (ON)作为电流检测、
但观察该器件的内部电路、首先将 SW/2和 VDD 电压与一个放大器进行比较、用作使能信号、并比较和检测 SW 电压和 ILIM 设置。
如果 SW 电压是 GND 基准、则似乎在比较低侧 FET 电压和设置的 ILIM。
我怎么能理解呢?
此致
达津市
Chris、您好!
感谢您的答复。
让我再确认一下。
・Ω 的 SW 电压是高侧 FET 两端的电压吗?
・如何测量 SCP 检测点(高侧 FET 电压)?
=>在高侧接通100ns 后,测量 VIN-GND 和 SW-GND 之间的差值(高侧 Vds)是否正确?
滤波器衰减?
=>了解检测点处的电压差超过设定阈值(105,180,310mV)并计数7次以触发 SCP 是否正确?

此致
达津市