请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：ISO5451 您好！
我想在我们公司即将进行的设计中将 ISO5451集成到高功率 IGBT 电机控制应用中、并有几个问题想澄清。
1.) 我能否对高侧驱动器配置使用自举电路来摆脱额外的隔离式直流/直流转换器？ 如果是、您对此有什么设计建议吗？ 我的目标开关范围为4kHz 至20kHz、因此开关功率最坏的情况将是 4kHz、此时电容器需要保持250us 的电压。 IGBT 的 Qg 大约为200nC、Vdd 将为15V、因此 Qg > 10 * CBS /Vdd = 133nF。 现在、驱动器还会接收一些连续的电流(最坏情况下 Ic2是6mA)、因此会额外产生10 * Ic2 * 250us / Vdd = 1uF、因此当我将3.3uF 之类的电容器用作自举电容器时、总的来说、我应该是安全的、对吧？
2.) 当 VCC2在 DESAT 错误后下降到低电平时、并且次要站点上的 IC 关闭时、控制器仍然会将所有内容锁存到安全状态、并且仍然需要激活的 nRST 触发器？
3.) 数据表中包含二极管 Ddst、 该二极管应该能够处理电机控制器的完整电源电压、对吗？
4.) 控制器是否会 通过 TI 的 MOSFET 智能栅极控制来分别将拉电流和灌电流的峰值电流限制为2.5/5A？ 当栅极电阻值过低时会发生什么情况、以至于超过限值呢？
此致！
汉斯
