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先生
我们的应用目标是实现80W 持续功率耗散。
根据估算、VDS = 20V、ID = 40A、MOSFET 上的功率耗散为80W。
图10最大 SOA 显示80W 可以持续大约1 ~ 10ms。
CSD17308Q3是否合适或您可以推荐的任何其他替代产品?
此致
本
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先生
我们的应用目标是实现80W 持续功率耗散。
根据估算、VDS = 20V、ID = 40A、MOSFET 上的功率耗散为80W。
图10最大 SOA 显示80W 可以持续大约1 ~ 10ms。
CSD17308Q3是否合适或您可以推荐的任何其他替代产品?
此致
本
Ben、您好!
感谢您关注 TI FET。 通常、FET 导通时、FET 中的功率损耗计算为 I² x RDS (on)。 也许当 FET 关断时、VDS = 20V、但随着 FET 导通、电压会崩溃、主要功率损耗为电阻性。 CSD17308Q3是一款较旧的器件、无法支持40A 持续电流。 我推荐采用5x6mm SON 封装的 CSD16570Q5B 25V NFET。 这是 TI 最低的导通电阻 FET、通过估算出的 I² Ω x RDS (on)~ 1.6W 可支持40A 的连续电流。 对于 SOA、我们需要查看 FET 的导通和关断时间。 如何驱动 FET?栅极驱动电压 VGS 是多少?
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
您好、John
很抱歉您输入的信息不正确! 持续漏极电流的预期值为4A、而不是40A!
为了确定我的关切、我们发布了一份简短的文件。
希望这将有助于您更好地理解。
现有的电路在低压应用中表现很好、我们不确定它是否仍然在高压1应用中能够工作、
请参阅附件!
e2e.ti.com/.../MOSFET-Evaluation-20240507.pptx
此致
本
尊敬的 Ben:
感谢您的更新。 电路看起来会调节通过 RSENSE 的电流。 对于4A 持续电流、RSENSE 两端的电压为40mV。 FET 两端的电压为:VDS = 20V - VDUT - 40mV。 DUT 两端的电压降是多少? 没有 TI FET 能够持续耗散80W。 对于我们的任何封装来说、这都是耗散太多、除了可能采用散热器并有气流的 TO220。 我同意您的 SOA 评估。 但是、仅当 FET 完全导通时、才允许4A 持续电流。 此应用似乎使 FET 在 VDS > VGS - VTH 的饱和区域内运行。 这是一种高功率耗散条件、因为 FET 两端存在电压、且有电流流过 FET。 数据表中的14A 持续电流额定值的计算方式如以下链接中的技术文章所示。 这假设 FET 已导通(完全增强)、这在本应用中不是如此。
https://www.ti.com/lit/ta / ssztcp0/ssztcp0.pdf
谢谢。
约翰