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[参考译文] LM5141-Q1：降压控制器的最大电流 Iout

admin
Guru**** 1568665 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25148-Q1, LM25149, LM5141, LM5141-Q1, LM5143-Q1, LM25143-Q1, LM5148-Q1, LM25141-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1350314/lm5141-q1-max-current-iout-of-a-buck-controller

器件型号：LM5141-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5141、 LM25143-Q1、 LM5143A-Q1、LM25148-Q1 、 LM5148-Q1、 LM25141-Q1、LM25149

您好、团队成员：

我在数据表中发现 LM5141能够支持的最大电流为30A、但我对 LM5141的最大电流有疑问、

所有负载电流都将通过外部高侧和低侧 MOSFET 提供,除非我的 MOSFET 能够处理所需的负载电流示例50A ,否则降压控制器是否能够处理它。

如果不能，请说明技术理由，>30A 的负载电流将如何影响降压控制器，或 将电流限制在30A 的原因是什么

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    大家好、Darshan、

    就控制器而言、最大输出电流没有实际限制。 这实际上取决于为功率级选择的元件- MOSFET、电感器和电容。

    如果电流为50A、则可能需要从热性能的角度考虑两相解决方案。 了解与 LM5141-Q1同一系列的 LM5143-Q1 (65V)或 LM25143-Q1 (42V)双路控制器。 我们还提供 LM (2) 5148-Q1、这是一种单通道控制器、可根据需要堆叠到两个相位。

    此致、

    时间

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    BTW、如果不需要汽车级、则从上述器件型号中删除"-Q1"即可。

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    Timothy、您好！

    感谢您的反馈。

    请参考您的答案、我有几个问题、如果您的电流为50A、则可能需要从热性能的角度考虑两相解决方案。 -     当你说热性能,它是与降压控制器还是外部 MOSFET 有关?

    我的假设是,如果我的 MOSFET 能够处理所有的负载电流和功率耗散,那么 Iout Max 不依赖于

    在降压控制器上。 如果我错了请纠正我

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    我将其用于汽车应用。

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    是的、正确、只要控制器能够驱动 FET、就不应该成为瓶颈。

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    BTW、LM5148-Q1 (80V)和 LM25148-Q1 (42V)是该控制器系列的新版本、与 LM5141-Q1和 LM25141-Q1非常相似。 这些器件添加了一些特性、包括2相可堆叠性、用于降低 EMI 的高级展频以及更低的分流器压降(60mV 对75mV)。

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    Timothy、您好！

    我们使用 LM5141将24V 转换为12V 在应用中,当我测试输出电压 Vout 是7.4V 这是不正确的时,我会附上我的设计屏幕截图,请查看并提供解决方案或调试方法

    如果无法查看该文件、请与我分享您的邮件 ID 我可以发送设计 PDF

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    大家好、Darshan、

    我建议为 LM5141填写快速入门计算器(这有助于检查元件选型的稳定性、功率损耗等)

    以下是一些评论：

    1. FB 和 COMP 上的 GND 电容过高。 这些是会导致相位滞后的有效极点。
    2. 无需低侧 FET 栅极电阻器。
    3. 移除 FET 栅极-源极上的电容-这些电容只是增大栅极电容。
    4. 在靠近引脚的 VDDA 上使用一个电容器。 470nF 可在此处工作(无需两个电容器)。
    5. 10nF 时的电阻电容较低- 220nF 通常适用于更长的断续时间。
    6. 10nF 时的 SS 电容器也很低。 典型值为47nF。
    7. 对 FET 附近的输入陶瓷电容器使用4 x 10nF (以 LM25149 EVM 的 BOM 和布局为例)。 因此无需不同值的电容。

    此致、

    时间

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    Heal Timothy、

    谢谢你的解决方案,我可以得到 Vout =12V,通过根据你的建议在电路中进行更改。

    请您指导我了解极点和零点在决定降压控制器稳定性时的重要性。

    请提供一些有用的链接或材料、帮助我了解系统的耗电量和稳定性(如果有)、

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    大家好、Darshan、

    查看有关电流模式控制架构稳定性的文章系列：

    http://www.how2power.com/pdf_view.php?url=newsletters/1406/articles/H2PToday1406_design_TexasInstruments.pdf

    http://www.how2power.com/pdf_view.php?url=/newsletters/1407/articles/H2PToday1407_design_TexasInstruments.pdf

    有关更广义和更深入的理论、请参阅此 TI 配套资料：

    https://www.ti.com/lit/an/snva555/snva555.pdf

    此致、

    时间

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    Timothy、您好！

    今天,我修改了一个我的新板(大多数板工作正常),正如你在前面的环路建议,初始 Vout =12V 这是预期的, 但过了一段时间它停止提供 Vout ,当我开始调试电路时,引脚上看到 Vcc=5V , 但 VDDA 提供了0V (内部 LDO)和输出电压也为0v，您能建议我调试 电路还是让我知道它可能出错的可能性有多大。

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    大家好、Darshan、

    VCC 达到这一速率是很不寻常的、但不是 VDDA。 我怀疑您的部件损坏需要更换。 请注意、除了上拉 DEMB 等外、VDDA 上不应有外部负载。

    此致、

    时间