尊敬的团队：
您能回答以下问题吗？
1) 1)我们是否可以在没有上拉的情况下将 DIAG_EN 直接连接至3.3V？
2) CL (电流限制电阻器)如果我把它设置为8.2k，是否意味着 CH1有245mA 电流限制，而 CH2有245mA 电流限制？ 还是 CH1+CH2的245mA？
3) 3)将电流限制设置为245mA -> ±20%时的预期误差是多少
4) 4)是否需要计算 RCS 以将上限误差考虑在内？
此致、
D.
您好、D：
从技术角度而言、244mA 超出了规格、因为我们仅根据250mA 规定了(标称)电流限值、但它非常接近、因此不会有问题。 如果您在较低电流限值下需要更高的精度、请考虑使用高 RON (通常价格更好)的 TPS2H000-Q1。
4) 4)是的、应考虑精度的上限-请记住在故障情况(热、开路负载等)下、CS 引脚将被拉高至 VCS (H)、最高可达6.5V。 如果您的 ADC 无法处理此问题、建议使用齐纳钳位或分压器等器件来保护 MCU ADC。
此致、
时间
Timothy、您好！
感谢您的观看。
1) 1)关于 TPS2H000-Q1、如果我没有错、它还会为250mA 提供15%的电流限制精度？
此外、如果它是250mA 流过 TPS2H000-Q1、Ch1和 Ch2、则 TPS2H000-Q1上的最大功耗为0.5A * 1Ohm = 0.5W
(虽然 TPS2H160-Q1的功耗为80mW)、但这不是很小的功耗。
电流检测精度 TPS2H000-Q1与 TPS2H160-Q1 的精度为4%与2.5%是否正确？
2) 2)我的 TPS2H160-Q1计算
电流限制
| VCL_TH | 0.8 | |||
| KCL | 2500 | |||
| 输出电流 | 0.25 | A | ||
| RCL | 8 | komh | ||
| RCL_选择 | 8.2 | komh | ||
| RCL_s-1% | 8.118 | komh | ||
| RCL_s+1% | 8.282 | komh | ||
| 输出电流_计算 | 243.9024 | mA | ||
| iout_calc_+1% | 241.4876 | mA | ||
| iout_calc_-1% | 246.3661 | mA | ||
| 最大输出电流 | 283.321 | mA | 15% | |
| 输出电流最小值 | 205.2644 | mA | 15% |
电流传感
| VCS_LIN | 4 | V | ||
| VCS_高电平 | 6.5 | V | 发生故障 | |
| VCS | 4 | V | ||
| KCS | 290 | |||
| 输出电流 | 0.285 | A | ||
| RCS | 4.070175 | 千欧 | ||
| RCS 选择 | 4.02 | 千欧 | 1%容差 | |
| Rcs-1% | 3.9798 | 千欧 | ||
| Rcs+1% | 4.0602 | 千欧 | ||
| 输出电流_计算 | 288.5572 | mA | ||
| iout_calc_+1% | 285.7002 | mA | ||
| iout_calc_-1% | 291.4719 | mA | ||
| VCS_calc (计算模块) | 4 | V | ||
| 输入模数转换器 | 1.207 | V | ||
| RT | 24.9 | 千欧 | ||
| RB | 9.1 | 千欧 | ||
| V_IN_4V | 1.070588 | V | ||
| V_IN_6.5V | 1.739706 |
V |
ADC 输入可测量高达1.207V、但可耐受1.8V 电压、
在上面的计算中、只在没有齐纳二极管的情况下使用电阻分压器是否可以、以便6.5V 低于1.8V？
你还有其他建议吗?
此致、
D.
您好！
TPS2H160-Q1具有±25%的 负载、TPS2H000-Q1具有±20%的负载。 TPS2H000-Q1可将电流限制指定为50mA、因此如果您可以摆脱增加的 RON -通常情况下、较高 RON 的器件具有更好的价格、那么该器件可能更适合。 无论您提供的功率分布是否合适、只要您能够处理2H000的1 Ω RON 即可。
2H000在较低负载电流下的电流检测精度更高：
2H160：
2H000：
使用分压器不会产生任何问题-这是该器件的常见设计实践。 计算结果看起来没有问题。 查看原理图、我唯一要注意的是确保存在 数据表中8.3.7.4反向电流保护中所述的某种反向电流保护。 此外、为了提高 EMI 性能、最佳输入/输出电容器组为：
将10nF 和100nF 电容器从 Vs 并联到 IC_ground 对 EMC 性能的影响最大。 在 Vout 到 System_Ground 之间放置100nF 电容器也有帮助、但不那么重要。 需要将电容器尽可能靠近 Vs 和 Vout 引脚放置、以防止产生任何额外电感。 由于您没有接地网络、因此它们连接到同一接地端。
在 VS 上看到了正确的电容、但没有看到 VOUT 侧。
此致、
时间
Timothy、您好！
我们将使用 TPS2H160-Q1、因为在我们的情况下1欧姆 ron 需要很强的处理能力。
我想我们不需要 8.3.7.4反向电流保护。 WI 将使用 TPS2H160-Q1作为 FPDLINK 输出(Destern 侧)。
就像 TIDA-01323一样 、www.ti.com/.../TIDA-01323 TPS4H160BQPWPRQ1没有用于反向电流保护的 NOR metodh1或方法2。
此处也添加了注释
如果在这种情况下需要 Vbat 或 GND 网络上的二极管、您还可以添加您的评论吗？
关于 OUT1 OUT2上的电容器、我们使用与 TIDA 上类似的以下方法、可以吗？ 还是应该大于10uF 1210 (飞至12V 时为9uF eff)？
我会给 Vs 额外增加10nF
此致、
D.
Timothy、您好！
感谢您的观看。
我们使用 FPDLink 作为摄像头、只有电感部分是同轴电缆、以及摄像头 PoC 滤波器上的2.2uH + 10uH 电感器、您认为这是个问题吗？
您是否建议 在标记位置使用肖特基二极管 RB161MM-20TR 或者理想二极管、如用于 LM7310、LM74704-Q1或 LM74701-Q1？ 
我们将以下电容器用于 PoC、
此致、
D.
Timothy、您好！
D2 不是 TVS 的标准二极管，它是 ESD 和 EFT 保护的主要功能，但它也可以在这种情况下帮助形成 DS？
是的、肖特基的阴极指向 TPSH160的引脚13、引脚14
那么、您不建议使用理想二极管代替肖特基二极管？
此致、
D.
