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您好!
根据数据表、当 TPS7B7702用于双通道天线 LDO 应用时、如果一个通道接地短路、则 Vin 的临时骤降会触发反向电流检测故障、而另一个通道将被锁闭。
1.现在我们有一个50uF inoput 电容器、Vin=Vout1=Vout2=12V。 当 Vout1对地短路时、Vin 会临时下降约0.6V、从而触发通道2中的反向电流故障并导致其关断。
根据数据表提供的输出电流和相应的压降电压、导通电阻约为5Ω、并且反向电流可计算为5Ω-120mA (-40mA、100mA)。 这是否意味着为了避免这种错误的触发事件、Vin_dip 需要小于40mA * 5Ω= 200mV? 需要多大的输入电容器来防止发生此故障?
PS:研究发现、即使是一个400uF 的电容器也无法防止这种情况的发生。 根据 ic=C*dU/dt 的计算,所需的电容器将会非常大,无法应用于设计中。
2.当输出保持短路时,TPS7B7702将继续保持相应的通道导通,输出电流会受到限制。 剂量这意味着内部 MOS 仍然打开? 并且输入电压将通过 On-MOS 保持低阻抗接地? 如果是、为什么 Vin 不持续降低? "临时浸水"会发生什么情况?
谢谢!