工具与软件:
尊敬的 TI:
对于不建议在降压转换器上使用 TI 的统一 MOSFET 产品、我感到困惑。
此外、WEBENCH 也未提供任何类型的统一 NMOS 阵列。
那么、对于这种较低的电感和较好的共源共栅 NMOS、主要关注的是什么呢?
好的、
Brian
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工具与软件:
尊敬的 TI:
对于不建议在降压转换器上使用 TI 的统一 MOSFET 产品、我感到困惑。
此外、WEBENCH 也未提供任何类型的统一 NMOS 阵列。
那么、对于这种较低的电感和较好的共源共栅 NMOS、主要关注的是什么呢?
好的、
Brian
Brian、您好!
感谢您关注 TI FET。 CSD88599Q5DC 针对低频(高达50kHz)电机驱动应用进行了设计和优化。 它尚未针对同步降压应用进行评估、因此不建议用于该应用。 该器件的堆栈不同于针对同步降压进行优化的 TI 电源块。 半桥中的高侧 FET 位于底部、其漏极连接到封装底部的散热焊盘(VIN)。 低侧 FET 位于顶部、其源极连接到 PGND 引脚。 这种布置在电机驱动器中效果很好、但由于低侧 FET 的源极电感较高、因此对于同步降压而言并不是最佳选择。 这可能会导致在较高的开关频率下发生跨导。
如果您可以分享您的要求、我可以帮助您为您的应用找到更合适的器件。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
Brian、您好!
TI 在下面的链接中提供了一款基于 Excel 的 FET 选择工具。 这让用户可以输入他们的要求、并与多达3个不同的 TI FET 解决方案进行比较。 请尝试一下、如果您遇到任何问题、请告诉我。
https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC
谢谢!
John
尊敬的 John:
在从理论到实际实现的实验中、CSD88599的效率确实优于分离的 NMOS 配置。
电感越小、振铃和功率损耗 Ldi/dt 就越少。
我看不出 TI 为何不推荐这种性能更好的 MOSFET on 降压转换器。
我还将在此票证顶部提出与 CSD88599相关的更多问题。
如您所述、顶部散热焊盘为 GND、底部散热焊盘为 VIN。
但是、即使将此类 MOSFET 应用于电机设计、GND 顶部焊盘也无法安装到不带隔离的散热器上。
这是由于分流电阻器配置、因此无论顶部是 VIN 还是底部是 GND、散热器本身都无法直接安装到 MOSFET 上。
因此、我不确定这种 MOSFET 为何不适用于同步降压等半桥应用?
您能解释一下吗?
好的、
Brian
Brian、您好!
尽管我收到系统发送的电子邮件、但我在该主题中看不到您的最后一次回复。 如前所述、CSD88599Q5DC 针对 PWM 频率小于50kHz 的电机驱动应用进行了优化、因此、它尚未在同步降压转换器中进行测试。 此外、它仅在高达50kHz 的开关频率下进行了测试。 如果您决定在同步降压中使用该器件、TI 无法保证性能、因为该应用中没有支持数据。 我建议对器件进行全面测试、以确保性能可接受。 特别注意 SW 节点波形、确保电源块的电压不超过 BVDSS。 请查看以下链接中有关同步降压转换器的振铃降低技术的应用手册。 应该包含栅极电阻器点、从 SW 节点到 GND 的 R-C 缓冲器以及与 MOSFET 栅极驱动器的自举电容器串联的电阻器。
正确的做法是、散热器不能直接连接到封装顶部的裸露金属接线片上。 通常情况下、在器件和散热器之间使用热界面材料(电气绝缘/导热)、因为表面不是完全平坦的。
https://www.ti.com/lit/an/slpa010/slpa010.pdf
我将了解可以找到有关在同步降压应用中使用(或不使用)此器件的其他信息。
此致、
John
尊敬的 John:
感谢您阅读随附的文档并充分理解对同步降压设计101的解释。
我应该在十年前学习这些。
除此之外、所有缓冲器自举电阻器或栅极电阻器都用于优化 EMI 并总之降低 VDS MOSFET 选择。
因此、从效率的角度来看、甚至根本没有考虑到。 所有主要损耗都是 sw-freq 选择电感器和 RDS on。
因此、当对这3个要素进行良好调整后、我们唯一能做的就是对布局本身进行调整、因为正如文档中所建议的、开关长度确实会造成损耗。
因此、电源块又名统一半桥 NMOS 就是同步降压解决方案。
但据我所知、市场并没有提供太多的选择。
好的、
Brian
Brian、您好!
根据在 SW 节点波形上看到的过冲和振铃量、可能需要也可能不需要添加 EMI 缓解元件。 它们最终可能是没有东西或0欧姆电阻器。 所有这些电路方法都会消耗额外的功率并降低效率。 TI 拥有许多电源块 FET 解决方案、但大多数产品是较低电压(25V 或30V)的。 电源块产品选择仅限于2个>=40V 的器件、并且这两个器件均针对电机驱动解决方案进行了优化。 我们的低电压电源块产品针对同步降压转换器进行了优化、由于可以降低寄生电感、通常具有比分立式解决方案更高的性能。 与往常一样、PCB 布局对于实现最佳性能至关重要。 为了便于将来参考、下面链接中的应用手册包含指向 TI 所有基于网络的 FET 技术信息的链接。 如果我还有什么可以帮助你的、请告诉我。
https://www.ti.com/lit/an/slvafg3f/slvafg3f.pdf
谢谢!
John