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[参考译文] TPSI3052-Q1：SPICE 模型

admin
Guru**** 2012960 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSI3052-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1370702/tpsi3052-q1-spice-model

器件型号：TPSI3052-Q1

工具与软件：

嗨、团队：

有没有任何15V SSR IC 的工作 Spice 模型、在 TI 网站上、SPICE 不工作、显示仿真误差。

TI 能帮助我们解决这个问题吗？

此致

Vivek

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    您好、Vivek、

    感谢您在 E2E 上联系我们的团队。 您能否与错误消息一起分享您的项目？ 几天前我检查时、TPSI3052-Q1 PSpice 模型就为我效劳了。

    如何共享 PSpice 项目

    此致、
    Tilden Chen

    固态继电器|应用工程师

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    是的、它在 PSpice 中工作。

    是否可以使用 Simetrix 库？

    此致

    Vivek

  • 0
    TI__Guru**** 2012960 points
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    您好、Vivek、

    感谢您的澄清。 尝试使用此文件、它在3月份就能正常工作。

    0486.TPSI3052-Q1_SIMetrix.zip

    此致、
    Tilden Chen

    固态继电器|应用工程师

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    尊敬的 Chen：

    该模型将生成 VDRV 10V 输出、我希望15Vdc 作为 Vdrv。  

    此致

    Vivek

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    您好、Vivek、

    请尝试此应用。

     e2e.ti.com/.../TPSI3052_5F00_SIMETRIX_5F00_B1P05.lib

    此致、
    Tilden Chen

    固态继电器|应用工程师

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    尊敬的 Chen：

    它提供脉冲输出、即使 EN 提供持续高电平

    在输出侧、它大约提供12V 而非15V

    此致

    Vivek

  • 0
    TI__Guru**** 2012960 points
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    您好、Vivek、

    感谢您的更新。 您看到脉冲输出的原因是电阻负载消耗的电流大于 TPSI3052-Q1的电流。 VDDH 正在达到 UVLO 并关闭 VDRV。 此外、如果您打算在最终解决方案中驱动 MOSFET、电阻负载也不能代表 MOSFET 的行为方式。 改用电容器。  

    例如、如果选择了 E3M0075120K 并希望模仿该 MOSFET 的驱动效果、则通过获取总栅极电荷(QG)除以栅极电压(VDRV)来找到负载电容(CVDRV)。  

    此致、
    Tilden Chen

    固态继电器|应用工程师

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    谢谢 Chen、它对我很有用、但为什么模型需要30ms 来开启 Vdrv 电压

  • 0
    TI__Guru**** 2012960 points
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    您好、Vivek、

    感谢您的更新。 该模型需要30ms 来打开 VDRV、因为我们的器件 首先需要将 C2和 C3充电至足够的电压。 供您尝试使用 C2 = 150nF 和 C3 = 450nF . 这应该会将启动时间缩短到微秒级。

    此致、
    Tilden Chen

    固态继电器|应用工程师

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    1.在实用上,充电速度很快就好了吗?

    2. 在仿真电容器中、我们需要根据计算结果来计算、或者我们可以使用您的值来快速运行？

    此致

    Vivek

  • 0
    TI__Guru**** 2012960 points
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    您好、Vivek、

    感谢您的答复。 如果在实际设置中使用 C2 = 3.3uF 且 C3 = 10uF、则仍然需要几毫秒的时间来充电。  

    C2和 C3电容将取决于 MOSFET 的总栅极电荷。 如果您已经选择了一个 电容值、您可以使用我们的计算器工具查找合适的电容值、或者我可以使用 P/N 进行检查

    此致、
    Tilden Chen

    固态继电器|应用工程师

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    对我来说、根据下面的电路、它以576nC 为单位充电

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    您好、Vivek、

    感谢您的更新。 要对 Qg = 576nC 的 MOSFET 建模、我们需要使用 CLOAD = 38.4nF (而不是3.67nF)。

    建议此处使用 C2 = 1.5uF 且 C3 = 4.7uF。

    此致、
    Tilden Chen

    固态继电器|应用工程师

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    感谢您的支持、在关断栅极脉冲中、从 EN 到 VDRV 的延迟取决于这些电容器？

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    TI__Guru**** 2012960 points
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    您好、Vivek、

    感谢您的更新。 EN 至 VDRV 延迟不依赖于 C2和 C3、当 EN 变为低电平时、驱动器(VDRV)下拉至 VSSS。 因此、EN 至 VDRV 延迟将是容性负载(CVDRV)放电时间与 TPSI3052-Q1传播延迟(微秒范围)之和。 在数据表中、THL_VDRV 假定 CVDRV = 100 pF、这将相当于总栅极电荷为1.5nC 的 MOSFET。 由于 RC 放电时间接近500ps、TPSI3052-Q1的内部传播延迟主要是影响2.5 µs  规格。

    此致、
    Tilden Chen

    固态继电器|应用工程师