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[参考译文] UCC27712-Q1：原理图审阅

admin
Guru**** 1774975 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27712-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1387753/ucc27712-q1-schematic-review

器件型号：UCC27712-Q1
主题中讨论的其他器件：UCC27712、

工具与软件：

e2e.ti.com/.../UCC27712.pdf

您好、TI 团队

我想申请 UCC27712DRQ1的原理图审核。

高桥输出220V AC、PWM 频率为50~60Hz。

1、为了节省空间,是否有任何部件可以节省?

`s PWM 频率非常低、所以我们认为 LI/HI 的 RC 滤波器已经不再需要了、没问题吧？

如果有任何其他问题、请告诉我。

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    TI__Guru**** 1774975 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Devin、

    感谢您关注 UCC27712-Q1半桥栅极驱动器。 根据提供的信息、我对原理图审阅有一些评论。

    对于4.7uF 的 HB-HS 电容、考虑到 HB 的驱动器静态电流和330 K 欧姆的栅源电阻、假设 HO 输出上的脉宽为10ms、那么该值足以支持50Hz 运行。 由 HB 电流和栅源电阻产生的 HB-HS 压降将小于500mV。 为了确认对 MOSFET 的 Qg 充电产生的影响、我们需要 MOSFET 器件型号。 此外、我们建议使用100nF 的并联陶瓷电容来实现更有效的高频旁路。

    对于 VDD 电容、我们建议使用10倍于 HB-HS 电容的值、以便在最初为自举电容器充电时尽可能减少 VDD 压降。 我们建议将 C225增加至47 μ F、并且还建议使用100nF 的并联电陶瓷电容作为高频旁路。

    即使工作频率较低、我们仍建议为 LI 和 HI 输入配置 R/C 滤波。 开关转换时接地反弹或布线耦合仍可能存在高频噪声。 电容器可以保留为最初未安装。

    在节省空间方面、对于栅极电阻为15k Ω 的情况、尚不清楚是否需要在栅极驱动网络中添加额外的电阻器和二极管。 但我建议在测试逆变器板之前保留此选项。

     

    此致、

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    TI__Guru**** 1774975 points
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    你(Richard)好

    根据不同的生产型号、N MOS 有两个部分：

    1.RJ1U330AAFRGTL、TO-263、ROHM

    2.R6020PNJFRATL、TO263S、ROHM

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    TI__Guru**** 1774975 points
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    你(Richard)好

    在本例中、 HB-HS 电容的最小值为`s μ F？  如何计算该值？ 我们需要选择 合理的 VDD 电容值。

    `s 驱动 MOSFET、HB-HS 压降的有效值是多少？

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    TI__Guru**** 1774975 points
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    你(Richard)好

    e2e.ti.com/.../1777.Schematic-Prints.pdf

    对整个 H 桥电路加以补充

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    TI__Guru**** 1774975 points
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    您好、Devin、

    感谢您提供 MOSFET 器件型号的原理图、我看到 MOSFET 的 Qg 为~65nC、这不会对自举电容值造成太大影响、因为主要因素是开关频率非常低。

    数据表的第9.2.2节介绍了如何确定元件值的设计流程。

    本节中的公式1展示了如何计算高侧(包括 MOSFET Qg 以及驱动器偏置电流)的 Qtotal。 由于存在栅源电阻器、因此我要向电流中添加12V/330K 以解决该电阻问题。

    Qg +(Iqbs/Fsw. = 65nC +(101uA/50)= 2.085uC

    启动电容值来自公式2、即 Qtotal/deltaVboot。

    假设1V 纹波没问题、这是一个很好的指导原则、那么最小电容为~2.1uF。 因此、2.2uF 电容及额外的容差变化就可以了。

    为了确定 可以有多少纹波、我建议查看指定了 FET 参数的 Vgs、通常大多数器件和此 MOSFET 都是10V。

    在本例中、VDD 为12V 时、假设自举二极管压降为0.7V、则启动电压为~11.3V。 对于10V 驱动、HB 偏置上会出现`1.3V 压降。

    现在、建议的引导电容器变为2.085uC/1.3V、即~1.6uF。 因此、现在即使存在电容器容差、也可以使用2.2uF 的电容器。 但要确认电容器容差随电压和温度的变化小于25%。

    根据引导电容的10倍建议、VDD 电容建议值将变为22uF。

    此致、

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    TI__Guru**** 1774975 points
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    你(Richard)好

    非常感谢您的解释和澄清。

    此致