主题中讨论的其他器件: LM5121
工具与软件:
尊敬的 TI 团队:
具有相同标题的原始线程被锁定。 因此、设置和条件与原始主题相同。 我们还有其他问题需要解答、以便找出器件故障的根本原因。
我们认为、器件故障仅在启动阶段发生、而不会在正常运行(稳态)期间发生。
我们已从您的网站下载了 LM5122 PSpice 模型修订版 B (SNVM416B.ZIP)、并使用 PSpice 我们的电路进行了仿真、发现有时死区时间控制似乎无法按预期工作(死区时间= 0)。 因此、我的问题是:
Q1:仿真是否反映了内部状态机行为的真实电路行为、尤其是在启动期间?
Q2:自适应死区时间控制是否始终有效、尤其是在启动期间?
Q3:在自适应死区时间控制方面、什么可以"启动"LM5122状态机?
Q4:您能否说明一下、如果软启动时间(通过软启动引脚处的电容器进行控制)小于为输出电容器充电所需的实际软启动时间、会发生什么情况?
实际上 CSS=47nF。 输出电容器的充电需要大约100ms。 遗憾的是、我们不能选择增加软启动电容器、因为电容值也会影响启动延迟。 我已经在 E2E 论坛上提出了一个有关此主题的专门问题。
关于死区时间控制、数据表在第7.3.8节中列出了一些信息。 另请注意:
"这项技术可确保任何尺寸的 N 沟道 MOSFET 器件具有足够的死区时间、尤其是当 VCC 由更高外部电压源供电时。 添加串联栅极电阻器时要小心、因为这可能会缩短有效死区时间。"
Q5:究竟是什么意思?"...当 VCC 由较高的外部电压源供电时。" ?
关于栅极电阻器: 我在 E2E 论坛中已经看到栅极电阻不高于10欧姆的指示。 我们实际上对两个 MOSFET (高侧和低侧)使用了大约5 Ω 的栅极串联电阻器。 我认为这应该是可以的。
欢迎提出任何解决器件故障问题的想法。
提前感谢!
此致:Andreas