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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396757/lm5122-lm5122-output-capacity
工具与软件：
嗨团队、
我们是否可以将 LM5122输出36V？120W 电源用于后置负载@Ω
Eric、您好！
LM5122应适用于36V/120W 输出。 您是否知道输入电压范围？ 根据此图、我们可以计算检查其是否在 LM5122能力范围内所需的占空比。
此致、 Niklas
输入电压为12V、
我使用 Webench 进行了仿真、您可以看到下图、没问题吧？ BTW ,我们是否有一个更好的工具,就像 webench 用于电源仿真
衷心感谢
BTW、
LM5122是否支持100%占空比？ 如果没有、请帮助解释原因
我没有看到图像附件。 但我已经可以确认 LM5122是输入电压为12V 的应用的最佳选择。 使用 webench 提供设计帮助也是可以的。 对于一些初始计算、我还推荐我们的功率级设计器工具： https://www.ti.com/tool/POWERSTAGE-DESIGNER也有一个快速入门计算器工具正在工作、但此工具可能会再需要两周才能上线。
关于100%占空比、您是指高侧栅极的100%导通时间？ 答案是肯定的。 LM5122具有旁路模式功能、可以在 Vin 升至高于 Vout 目标时导通高侧 FET。 数据表列出了有关此特性的一节。
尊敬的 Niklas：
很抱歉忘记附加图像、但您已回答我的问题。
BTW ,对于升压电路来说,比降压电路更容易获得100%的占空比,因为当输出电压接近输入电压时,降压需要电荷泵
LM5122使用电荷泵、并能够支持高侧 FET 的100%导通时间。 使用异步升压器件时只有一种区别、即高侧 FET 替换为二极管。 那么就不需要电荷泵、但始终存在二极管损耗。
明白了
