[参考译文] LMG1210EVM-012：LMG1210出现发热问题

您好、Farhan、

电路板上的哪些器件或器件正在升温？ 温度是多少？

此器件的最高建议结温为125C。 是否超出了该范围？

请使用此常见问题解答中的计算器、计算基于驱动器、FET 和输入电压的最高开关频率。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025075/faq-ucc27282-how-to-calculate-the-max-operating-frequency-of-a-half-bridge-gate-driver

谢谢！

Walter

你好、Walter。

感谢您的答复。 LMG1210 IC 正在加热。 我不知道确切的温度,但如果我可以运行几分钟,它的热量很大。所以我甚至不能触摸它,电流也不断增加. 您能否一次性查看设计文件 并在我犯了任何错误时为我提供指导。 谢谢

Farhan

您好、Farhan、

您是否在25°C 的室温下测试电路板？ 采用5MHz 开关频率时、 器件理论上可能会发热到大约75°C。

FET 的输出是否正常？ 如果触发了热关断、我建议尽可能添加散热器。

我认为设计没有任何异常之处。

谢谢！

Walter

你好、Walter。

感谢您的答复。 是的、我要在室温下测试电路。 我在高输出和低输出引脚(引脚10和8)上连接了 LMG1210的输出波形。

我选择了20ns 的最大死区时间。 但是、如果您仔细查看随附的图、会发现在某一点、两个输出同时都略高。 这可能是导致发热问题的原因吗？

其次、我现在要在10VDC 和500mA 下进行测试、但在实际应用中 、我必须在160VDC 和6A 下进行测试、这时会产生更多的热量？ 虽然测试只要温度升高、电流也在增加。

 触发热关断时、器件会损坏还是关断？

谢谢

此致

Farhan

你好、Walter、

感谢您的答复。 我使用20 kΩ 电阻器选择了最大死区时间20ns、但仍然可以看到大约3ns 的重叠。 我还检查了 LMG1210的温度、该温度约为85°C (开关频率为3.2 MHz)。 我还会在5 MHz 上测试它。 您认为此温度是否在正常范围内？ 您可以 为 Lmg1210和 GaN FET 推荐散热器或冷却材料吗？ 谢谢

此致

Farhan