Thread 中讨论的其他器件：LM74930-Q1
工具与软件：
嗨、
如果可以、我需要进行一些完整性检查、认为我不会在器件范围之外做任何事情、并回答几个问题。
我有一个应用需要将充电器(高达90A)动态连接到电池系统(48V)、并具备 OV、UV 和过流保护。 它还需要确保在 TPS 被告知"关闭"(INP 低电平)的情况下、充电端口不存在来自电池的电压。 除非在充电器端口看到(电池)电压、否则充电器不会供电、因此我需要按照 EVM 原理图通过二极管 ORing 为 TPS48110供电。 我认为我对此的一般方案(如下所示)是可以的。
1. 有一个问题是、如果充电器在负载下断开、由于电缆中的电感、电池端可能会出现负向电流尖峰。 电缆很短、但很自然、我不想烧毁任何东西、我认为此尖峰可能会损坏 MOSFET。 为了防止这种情况发生、我想了解反向电流保护(电池返回充电器)、但我对两个选项有点困惑。
我在这个答案(https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1343268/tps4811-q1-working-with-motors-back-emf-problems/5122464?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=TPS4811%252520lm5050#5122464)上看到、您建议使用 LM5050来防止由于反电动势导致此类尖峰、但想知道 TPS 数据表(第25页)中显示的背对背 MOSFET 设置是否也将实现反向电流保护(类似于 LM74930-Q1的外观)？
2. 我不确定在确定 TPS 和 LM5050能够驱动的 MOSFET 的最大数量时涉及哪些因素。 我目前有两个 IPT015N10N5ATMA1 MOSFET (出于散热考虑选择第三个)、由每个芯片驱动。 我已经了解到 TPS 可驱动多个 FET、而 LM5050能够驱动至少两个 FET。 有关如何确定它们的最大驱动能力的任何指导都将很有帮助。
再次感谢！ 
