• State Resolved
  • Locked Locked
  • Replies 15 replies
  • Subscribers 0 subscribers
  • Views 681 views
  • Users 0 members are here
Options
Options
Similar topics

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25890：如何了解 BQ25890的 ILIM 引脚

admin
Guru**** 2012440 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25890, BQ25790
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890

器件型号：BQ25890
Thread 中讨论的其他器件： BQ25790

工具与软件：

1、如何确定引脚 ILIM 用作电流限制设置或输入电流监视器的功能,如何在这两个功能之间进行选择?

也就是说、我可以如何选择 ILIM 引脚作为输入电流限制设置或输入电流监控器？

2、关于 BQ25890数据表中的" ILIM 输入电流限制9.2.12 "、ILIM 引脚上的电压可以是0.8V、0.4V 或其他  电压、那么 ILIM 上的该电压如何输出以及我如何确定该引脚上的电压是多少、即电压何时为0.8V、电压何时为0.4V？

3、当  ICO_EN = 1时、 IDPM_LIM 寄存器 和 IILIM 寄存器之间有什么关系？       现在是来自 IDPM_LIM 寄存器还是来自 IILIM 寄存器的 ICO 输入电流限制？

4、    对于 ICO 运行、条件 V (BAT)< VMINSYS 和 V (BAT)> VMINSYS 之间有什么区别？如何理解这一点？

5、充电器必须在 ICO 之前进入 VinDPM、但为什么数据表显示"该器件提供创新的输入电流优化器(ICO)来识别未过载的最大功率点
输入源"？ VinDPM 一次是否未被视为输入源过载？

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    请在下面列出我对您的问题的评论。  

    1) ILIM 引脚同时执行这两项功能。 除非 EN_ILIM 设置为禁用(REG00[6]= 0b)、否则 ILIM 引脚始终用于设置输入电流限值、并用作电流监测器。  

    2) ILIM 引脚的电压预计会动态变化。 输入电流与 ILIM 引脚上的电压成正比、这就是如何将 ILIM 用作输入电流监控器的方法。 如果您不希望将 ILIM 引脚用作电流监测器、则需要考虑您所需的输入电流限值、并相应地选择适当的电阻器。  

    3) 3)有关 ICO 操作的详细信息、请参阅数据表第9.2.4节。 ICO 功能可识别适配器的最大输入电流、并能够提高或降低输入电流限制寄存器设置。 请注意、ICO 不会覆盖 ILIM 引脚设置。 如果使用 ICO 功能、则 REG13中的 IDPM_LIM 值是实际的输入电流限制、它可能与 REG00中的 IINLIM 值不匹配。  

    4) V (BAT)>或< VMINSYS 对 ICO 运行没有影响。  

    5)在 ICO 算法中、BQ25890提高输入电流限值、直到其测量到 VBUS 时开始下降。 如果 BQ25890在 VINDPM 状态下运行、则表示输入适配器过载。 ICO 功能的目的是将输入电流限制设置为尽可能高的值、而不会使适配器过载、因此器件不应处于 VINDPM 状态。  

    此致、

    Garrett

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [报价 userid="489217" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890/5343280 #5343280"]1) ILIM 引脚同时执行这两项功能。 除非 EN_ILIM 设置为禁用(REG00[6]= 0b)、否则 ILIM 引脚始终用于设置输入电流限值、并用作电流监测器。  [报价]

    -->因此、如果  EN_ILIM 设置为禁用(REG00[6]= 0b)、则既不能使用电流限制设置、也不能使用输入电流监控器、对吗？ 我在数据表中找到了一些说明"可以通过将 EN_ILIM 位设置为0来禁用 ILIM 引脚功能。 当该引脚被禁用时、两个输入电流
    限制功能和监控功能不可用    "。

    [报价 userid="489217" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890/5343280 #5343280"]2) ILIM 引脚的电压应该动态变化。 输入电流与 ILIM 引脚上的电压成正比、这就是如何将 ILIM 用作输入电流监控器的方法。 如果您不希望将 ILIM 引脚用作电流监测器、则需要考虑您所需的输入电流限值、并相应地选择适当的电阻器。  [报价]

    -->所以输入电流限制公式和输入电流监控公式一样 、对吗？ 也就是说,ILIM(VILIM)上的电压会随着 IIN=(Kilim*VILIM)/(RILIM*0.8)的公式而增加,当 VILIM 从0.8V 以下上升到0.8V 以下时,输入电流会上升到最大值=(Kilim*0.8)/(RILIM*0.8)=(KILIM)/(输入电流限制),即输入电流限制超过0.8VIM(RILIM )。 无论如何,它是实际的输入电流值决定了  ILIM(VILIM)上的电压,而不是相反。  这种理解是否正确？

    另一个问题是、既然我们知道 ILIM 引脚设置的输入电流限制可以用于 IinDPM、那么将 ILIM 引脚用作输入电流监控器的实际用途是什么？ 这就是说、如果不考虑 DPM 功能、为什么我们应该在输入电流达到 ILIM 设置的限值之前对其进行监测？ 请帮助给出一些使用 ILIM 引脚 作为 输入电流监测器的场景。

    4) V (BAT)>或< VMINSYS 对 ICO 的运行没有影响。  [报价]

    -->请参考 SLVA812C、在本文档中、ICO 的操作在  V (BAT)< VMINSYS 和 V (BAT) > VMINSYS 之间有所不同。 我应该如何理解此器件？

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zhang：  

    请查看我的以下评论。  

    1)

    因此、如果  EN_ILIM 设置为禁用(REG00[6]= 0b)、则既不能使用电流限制设置也不能使用输入电流监控器、对吗？

    如果 ILIM 引脚设置为禁用两种功能均不能使用、则更正。  

    2)

    对于输入电流限制公式、可忽略 ILIM 引脚电压。 请使用以下公式确定 Rilim、输入电流限制= Kilim/Rilim。 此公式在 ILIM 引脚说明表和数据表第9.2.12节中列出。 例如、如果 Kilim = 390最大值、一个260 Ω 电阻器将输入电流限制设置为1.5A

    无需将 ILIM 引脚用作输入电流监控器。 该器件将自行相应地限制电流、而无需将 ILIM 引脚用作电流监测器。 它仅用作额外功能。 一些客户希望能够使用 ILIM 引脚通过其 MCU 轻松监控输入电流。  

    4)

    对于我的上一个回答"V (BAT)>或< VMINSYS 对 ICO 操作没有影响、我们深表歉意。" 如 SLVA812C 中所述、当 VBAT < VMINSYS 时、与 VBAT > VMINSYS 时相比、ICO 算法的行为稍有不同、因为电池电压< VMINSYS 时、电池电压过低、无法补充大型系统负载。 (即当 VBAT < MINSYS 阈值时、电池无法放电以帮助保持 SYS > VMINSYS。)  

    因此、在这种情况下、算法会降低输入电流限制、而不是升高输入电流限制、这样就不会因负载电流增加到高于输入电流限制而导致 SYS 崩溃的风险。 当 VBAT > VMINSYS ICO 算法将初始输入电流限制设置为500mA 时、如果 SYS 需要更多电流、可以补充电池来支持。  

    无论 VBAT > VMINSYS 还是 VBAT < VMINSYS、更新 REG13中输入电流限制设置的 ICO 功能最终结果都是相同的。  

    此致、

    Garrett

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [报价 userid="489217" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890/5343280 #5343280"]3)有关 ICO 操作的详细信息、请参阅数据表第9.2.4节。 ICO 功能可识别适配器的最大输入电流、并能够提高或降低输入电流限制寄存器设置。 请注意、ICO 不会覆盖 ILIM 引脚设置。 如果使用 ICO 功能、则 REG13中的 IDPM_LIM 值是实际的输入电流限制、它可能与 REG00中的 IINLIM 值不匹配。  [报价]

    什么‘s ILIM 硬件引脚设置限制值与 IINLIM 寄存器 REG00位0？位5限制值～是否有任何寄存器来恢复 ILIM 硬件引脚限制值？之间的关系

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [报价 userid="489217" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890/5345437 #5345437"]

    对于输入电流限制公式、可忽略 ILIM 引脚电压。 请使用以下公式确定 Rilim、输入电流限制= Kilim/Rilim。 此公式在 ILIM 引脚说明表和数据表第9.2.12节中列出。 例如、如果 Kilim = 390最大值、一个260 Ω 电阻器将输入电流限制设置为1.5A

    无需将 ILIM 引脚用作输入电流监控器。 该器件将自行相应地限制电流、而无需将 ILIM 引脚用作电流监测器。 它仅用作额外功能。 一些客户希望能够使用 ILIM 引脚通过其 MCU 轻松监控输入电流。  

    [报价]

    因此、输入电流监控器仅供外部使用、例如连接到额外的 ADC 或电压比较器件以执行其他操作、对吧？

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zhang：  

    请在下方查看我的回复。  

    [报价 userid="564296" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890/5346250 #5346250"]什么是‘s ILIM 硬件引脚设置限制值与 IINLIM 寄存器 REG00位0～位5限制值？是否有任何寄存器用于恢复 ILIM 硬件引脚限制值？[/QUOT]

    我已经在我们的备用 E2E 主题中解决了该问题。 我将重申一遍、没有寄存器存储 ILIM 硬件引脚设置的输入电流限制值。  

    所以输入电流监视器仅供外部使用、例如连接到额外的 ADC 或电压比较设备以执行其他操作、是吗？

    正确、输入电流监控功能仅供外部使用。  

    此致、

    Garrett

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我总不能理解 ICO 的工作机制。

    1、ICO 如何识别(检测)未知适配器的最大输入电流-底线/可负担性? 也就是说、如果未知适配器的最大电流为5A、充电器 ICO 如何知道该适配器的  最大电流为5A。

    2、ICO 使用电流限值 DPM 防止电压限值 DPM,但仍需进行一次电压限值 DPM 以确定 未知适配器的底线/可负担性 ,对吗?

    3、我仍然无法理解为什么 ICO 初始电流限制设置值在 Vbat>Vsysmin 和 Vbat<Vsysmin (Vbat Vsysmin:DPM 500mA  ),您能解释一下这种差异吗,让我们知道如果我们不这样设置 ICO_DPM 电流限制值会发生什么?

    我无法理解  SLVA812C 中的描述： "当 V (BAT)< VMINSYS 时、如果充电器降压转换器限制为500 mA、然后由 ICO 算法斜升、则电池电压可能过低、无法补充大型系统负载。" ——如果 当 V(BAT)< VMINSYS, ICO 初始限制值设置为500mA ,为什么它与电池的补充模式有关? 为什么通过主机将 ICO 初始值设置为 IinDPM 可以解决该问题？

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zhang：  

    请查看我的以下评论。  

    如果您不想在系统中使用、请先让我说明可以禁用 ICO。  

    1) ICO 只能将输入电流限制设置为允许范围内的值。 最大输入电流限制设置为3.25A (在数据表表表9-9中列出)因此、ICO 永远不会将输入电流限制设置为5A。  

    2) 2)如  SLVA812C 文档中所述、当 VBAT < VMINSYS 器件最初经历电压 DPM 时、直到 ICO 确定适当的输入电流限制。 当 VBAT > VMINSYS 时、BQ25890会升高输入电流限值、直到发生单个 VINDPM 事件。 然后、ICO 会略微降低输入电流限制、从而使器件不会在 VINDPM 状态下运行。  

    ICO 过程完成后、器件应该不再在 VINDPM 条件下运行、因为已针对给定的输入适配器适当设置输入电流限制。  

    3) 3) BQ25890在转换器开启时优先将 SYS 电源轨保持在 SYSMIN 阈值(默认值为3.5V)以上。 如果电池电压低于3.5V、充电器 IC 无法使用补充模式、并且仍然将 SYS 电源轨保持在 SYSMIN 以上、因为 VSYS 必须低于 VBAT 才能进行补充模式运行。 由于该 ICO 算法通过手动 REG00设置降低了输入电流限制、而不是从500mA 开始并提高了输入电流限制设置。  

    如果当 VBAT < VMINSYS 时、ICO 算法的运行方式与当 VBAT > VMINSYS 时相同、则可能存在 VSYS 下降的风险、原因是输入电流限制最初太低、然后才能将其升压到适当的值。  

    此致、

    Garrett  

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    让我重新思考一下。 无论如何、ICO 功能必须由 ICO_EN 禁用、因为它的复杂性和安全考虑在我的开发实践中、并且不能使用未知适配器、如果最终用户使用了导致相关问题的未知适配器、我们将不会接受任何风险或安全投诉。 不保证使用未知适配器、因为合格的适配器将作为笔记本电脑产品的附件提供给用户。

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [报价 USERID="489217" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890/5357838 #5357838"]3) BQ25890优先在转换器开启时保持 SYS 电源轨高于 SYSMIN 阈值(默认值为3.5V)。 如果电池电压低于3.5V、充电器 IC 无法使用补充模式、并且仍然将 SYS 电源轨保持在 SYSMIN 以上、因为 VSYS 必须低于 VBAT 才能进行补充模式运行。 由于该 ICO 算法通过手动 REG00设置降低输入电流限制、而不是从500mA 开始并升高输入电流限制设置。

    1-->如果  VBAT < VMINSYS、则主机的 IinDPM 寄存器必须设置得足够高、以防充电器  在通过电压 DPM (VinDPM)之前碰撞到电流 DPM (IinDPM)、 而电压 DPM (VinDPM)可能导致电池进入补充模式(DPPM)、对吗？

    但是、问题是 VinDPM 还可以  使  电池进入 补充模式(DPPM)、其中 VSYS 降至低于 Vbat<Vsysmin、从而导致系统崩溃；如果第一个 VinDPM 使 VSYS 降至低于 Vsysmin、从而在 ICO 生效之前发生系统崩溃、充电器将怎么办？

    即使第一个 VinDPM 没有导致 VSYS 降至 Vsysmin 以下、从而在系统负载不够重时导致系统崩溃、  主机应设置 IinDPM 寄存器中的限值(最大值3.25A？)有多高 为了防止 发生电流 DPM (IinDPM)、并导致 VSYS 降至 Vsysmin 以下、  当 VBAT < VMINSYS 时、在越过电压 DPM (VinDPM)之前会发生系统崩溃？

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zhang：  

    请查看我的以下评论。   

    由于合格的适配器将作为笔记本电脑产品的附件提供给用户、因此无法保证未知适配器。

    如果您的产品有一个具有已知电流额定值的专用输入适配器、那么我同意您可以禁用 ICO 功能、只需将输入电流限制设置为您合格适配器的已知最大电流。  

    [报价 userid="564296" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890/5359012 #5359012"]因此、如果  VBAT < VMINSYS、主机的 IinDPM 寄存器必须设置得足够高、以防充电器  在经过电压 DPM (VinDPM)之前碰撞到当前 DPM (IinDPM) 、该电压 DPM (VinDPM)可能导致电池进入补充模式(DPPM)、对吗？

    当 VBAT < VMINSYS 时、器件仍可以进入补充模式、但对于补充情况、SYS 将不会调节至高于 MINSYS 设置。 如果您参阅数据表的动态电源管理部分(第9.2.6.2节)、则器件将首先降低充电电流、尝试确定 SYS 负载的优先级。 根据 SYS 负载的大小、BQ25890可以在无需进入补充模式的情况下进入 DPM 操作。  

    如果第一个 VinDPM 使 VSYS 降至 Vsysmin 以下并且在 ICO 生效之前发生系统崩溃、充电器该怎么办？

    第一个 VinDPM (或 IINDPM)将使器件减小充电电流、如果 SYS 负载足够高、充电电流可一直降至0A。 当 VBAT < VMINSYS 时、如果 ISYS >输入适配器可以供电、器件将无法防止 SYS 降至 MINSYS 以下。  

     主机设置的 IinDPM 寄存器中的限制值应当是多高(最大值3.25A？) 为了防止 出现当前 DPM (IinDPM)、并导致 VSYS 降至 Vsysmin 以下、  当 VBAT < VMINSYS？[/QUOT]时、系统会在越过电压 DPM (VinDPM)之前发生系统崩溃

    输入电流限制应根据输入适配器的电流额定值进行设置。 这是应该影响该设置的唯一因素。 IINDPM 和 VINDPM 设置应始终采用不会使输入适配器过载的方式。  

    此外、使用我们的 BQ25890EVM 执行您自己的基准测试可能有助于加深您对器件动态电源管理的了解。  

    此致、

    Garrett  

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    应根据输入适配器的额定电流设置输入电流限制。 这是应该影响该设置的唯一因素。 IINDPM 和 VINDPM 设置应始终设置为不会使输入适配器过载。[/QUOT]

    1、抱歉、我必须讲述 ICO 操作的背景、其中我讨论了当 VBAT<VSYSMIN 时应设置多高的 IinDPM 寄存器、而不是单独设置 IinDPM 和 VinDPM (我知道如果不考虑 ICO、IinDPM 和 VinDPM 寄存器设置应基于实际输入适配器额定值和充电器输入额定值)。

    也就是说、在 ICO 运行过程中、当 VBAT < VMINSYS 时、 主机应当将 IinDPM 寄存器中的限制值设置为多高(最大值3.25A？) 为了防止 出现电流 DPM (IinDPM)、并导致 VSYS 降至 Vsysmin 以下、同时系统将在 电压交叉之前发生崩溃？ DPM (VinDPM) ?

     

    2、请参阅 SLVA812C、为什么不 将输入电流限制寄存器直接设置为最大值(BQ25890为3.25A)、而不是500mA 、并在 ICO 期间 V (BAT)> VMINSYS 时、将其降至 VinDPM 上的电流值？

    3、我们知道、ICO 运行预先基于第一个 VinDPM、 但如果 在 ICO 期间 IinDPM 发生在 VinDPM 之前、会发生什么情况？

    4、如果我们将 输入电流限制寄存器 直接设置为最低的500mA 值,那么当充电器恰好在 VinDPM 中时, IinDPM 是否会在皮下发生?

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zhang：  

    即、在 ICO 运行环境中、当 VBAT < VMINSYS 时、 主机应当将 IinDPM 寄存器中的限制值设置为多高(最大值3.25A？) 为了防止 出现电流 DPM (IinDPM)、并导致 VSYS 降至 Vsysmin 以下、同时系统将在 电压交叉之前发生崩溃？ DPM (VinDPM) ?[/QUOT]

    初始 IinDPM 设置将基于 D+/D-检测结果。 您可以通过 MCU 主机的 I2C 写入随意将输入电流限制提高到更高。 我不建议将其设置为高于输入适配器的额定电流。  

    [报价 userid="564296" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1396464/bq25890-how-to-understand-ilim-pin-for-bq25890/5360947 #5360947"]2、请参阅 SLVA812C、我们为什么不 直接将输入电流限制寄存器设置为最大值(BQ25890为3.25A)而不是500mA 、然后在 ICO 期间 V (BAT)> VMINSYS 时、将其降低至 VinDPM 上的电流值？[报价]

    不会为典型适配器指定可能的最大电流值。 该器件会升高来自500mA 的输入电流限制、以更大限度地减少适配器的过载。 如果 ICO 算法以3.25A 启动、大多数适配器将过载、并存在崩溃的风险。  

    3我们知道、ICO 的运行是预先基于第一个 VinDPM 的、 但如果 IinDPM 发生在 ICO 期间 VinDPM 之前、会发生什么情况？

    达到 IinDPM 无关紧要。 ICO 函数用于检查是否存在比初始设置的电流限制更合适的电流限制。  

    4如果我们将 输入电流限制寄存器 直接设置为的最低值、在 VinDPM 期间重负载下 IinDPM 可能会使500mA 在重负载下 trigger IinDPM、那么当充电器刚好处于 VinDPM 中时、IinDPM 是否会同时发生</quote]

    通常、器件不会同时达到 IinDPM 和 VinDPM。 如果 IinDPM 设置为适当的值、则不应发生 VinDPM、因为适配器未过载。 使用 ty[ical 适配器时、不应因500mA 输入电流限制而使其过载。  

    然后、如果将 IinDPM 设置得过高、则预计会在器件达到 IinDPM 限制之前触发 VinDPM。  

    此致、

    Garrett  

    [/quote]
  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    初始 IinDPM 设置将基于 D+/D-检测结果。 您可以通过 MCU 主机的 I2C 写入随意将输入电流限制提高到更高。 我不建议将其设置为高于输入适配器的额定电流。

    -->抱歉、我必须提醒您、我们所说的是电流限制未知适配器、我们不知道 我所说的未知适配器的确切等级。 因此" 我不建议将其设置为高于输入适配器的额定电流。" 对于 未知适配器的 ICO 主题而言是无稽之谈。

    典型适配器将不被评定为可能的最大电流值。 该器件会升高来自500mA 的输入电流限制、以更大限度地减少适配器的过载。 如果 ICO 算法以3.25A 启动、大多数适配器将过载、并存在崩溃的风险。  [报价]

    -->我将  输入电流限制寄存器直接设置为最大值(BQ25890为3.25A)而不是500mA    、然后将其降低到 VinDPM 达到 V(BAT)> VMINSYS 时的电流值、原因是我们只希望充电器在 IinDPM 之前遇到 VinDPM、而不是相反。 因此、即使 我将  输入电流限制寄存器直接设置为最大值(BQ25890为3.25A)、由于 VinDPM 甚至是补充模式、也不应该发生系统崩溃、对吗？

     BQ25790数据表中的 ICO 操作说明可以支持 VBAT>VSYSMIN 时此设置的另一项证据。

    如果 我将  输入电流限制寄存器设置 得太低(例如500mA)、充电器 就很容易在 IinDPM 中发生轻负载、这将导致在 VinDPM 之前频繁发生 IinDPM 事件、这是 ICO 的意图吗？根据我的理解、ICO 打算使用 VinDPM 替换 IinDPM 以保护未知适配器、因此在 VinDPM 之前不应发生 IinDPM。

     

    当 V (BAT)> VMINSYS 时、我对 ICO 的理解如下：

    (1)、假设未知适配器可提供的实际最大电流值 为1A、但请记住、我们不知道此值为1A。

    (2)、 当 V (BAT)> VMINSYS 时、 我会  直接将输入电流限制寄存器设置为最大值(BQ25890为3.25A)、以避免 IinDPM 在 VinDPM 之前发生。 (__LW_AT__BQ25790数据表中的 ICO 操作说明可以支持 VBAT>VSYSMIN 时的此设置。）

    我确信、由于 VinDPM 或补充模式将 VSYS 保持在 Vsysmin 以上、系统将不会发生系统崩溃。

    (3)、当系统负载增加到1A、然后超过1A 时、充电器不会激增至 IinDPM、因为未知适配器的实际电流限制仅为  1A、但 IinDPM 阈值足够高至3.25A、并且由于负载超过1A、Vin 开始下降 、随后当 IinDPM (3.25A)之前实际输入电流= 1.5A 时、充电器会碰巧到 VinDPM。

    如果负载继续增加、VinDPM 和电池补充模式可使 VSYS 在崩溃时稳定地高于 Vsysmin。

    (4)、 充电器记录  VinDPM 启动时的实际输入电流、然后将该电流值略微减小到一个值、以用作 ICO_DPM 寄存器值。现在、ICO 检测到的最大电流限制值完成、ICO 操作成功完成。

    请帮助指出    当 ICO 像这些步骤一样工作时的风险和恶性后果(特别是步骤2-将输入电流限值寄存器直接设置为最大值(BQ25890为3.25A)  当 V(BAT )> VMINSYS 时),与  SLVA812C 中所述的 V(BAT)> VMINSYS 时 ICO 的正确操作过程进行比较。

  • 0
    TI__Guru**** 2012440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zhang：  

    抱歉、我必须提醒您、我们谈论的是电流限制未知适配器、我们不知道 我所说的此未知适配器的确切等级。

    BQ25890 IC 的设计方式是、当由于 D+/D-检测而连接未知适配器时、输入电流限制将自动设置为500mA。 然后将运行 ICO 功能、并确定是否可以设置更高的输入电流限制。  

    如前所述、您可以通过 I2C 自由地将输入电流限制设置为更高的值、但当连接了未知适配器时、BQ25890的初始输入电流限制应设置为500mA。  

    因此即使 我将  输入电流限制寄存器直接设置为最大值(BQ25890为3.25A)、由于 VinDPM 甚至是补充模式、系统也不会发生崩溃、对吗？

    这种理解不是很正确。 器件可以由于 VinDPM 或 IinDPM 而进入补充模式。 遇到"VinDPM before IinDPM"会没有好处。  

    一般而言、客户更愿意达到 IinDPM 而不是 VinDPM、因为适配器电压下降表明其已过载、而正确设置的输入电流限值允许最大电流消耗、而不会使适配器过载(即如果 IinDPM 阈值设置正确、VBUS 电压不应下降至 VinDPM 阈值)。  

    据我所知、ICO 打算使用 VinDPM 替换 IinDPM 以保护未知适配器、因此在 VinDPM 之前不应发生 IinDPM、对吗？

    ICO 不打算使用 VinDPM 替代 IinDPM。 其目的是针对特定输入源设置最合适的输入电流限制设置。 一般来说、与 VinDPM 相比、IinDPM 被认为是更好的输入适配器保护、因为适配器本身已经过载以触发 VinDPM 保护。  

    请帮助指出 ICO 按这些 步骤操作   时的风险和恶性后果(特别是步骤2——当 V(BAT)>VMINSYS 时、将输入电流限制寄存器直接设为最大值(BQ25890为3.25A ) 

    通过将初始输入电流限制设置为3.25A、BQ25890充电器不会面临风险。 默认情况下、ICO 算法不会以这种方式运行、因为如果输入电流限制设置为3.25A、1A 适配器将过载。 输入电流限制最初设置为500mA DPM 的情况下、当 VBAT > VMINSYS 时、仍然可以进行补充模式运行、以防止 SYS 电源轨在 SYS 负载增加时崩溃。  

    此致、

    Garrett