工具与软件：
我将使用采用 IIM 配置的 LMG1210 GaN 驱动器、目的是驱动 EPC8002 GaN FET。 我配置了电路、以便有3个电压轨可供选择、用于 GaN 漏极或需要排放到 GND 的外部信号。 实际上、根据所装 R00跳线的配置、LMG1210芯片可以驱动 EPC8002 GaNFET 高侧或低侧。 如果您有关于原理图的任何其他问题、请告诉我。
使用以下设计时会出现一些问题：
-在高侧应用中,无论输入处于高电平, GaN FET 始终处于活动状态
-测试后, VDD 引脚显示11.74VDC 并参考电源接地。
e2e.ti.com/.../DipTrace-Schematic-_2D00_-0038B0411_5F00_SIMPLIFIED.pdf
您好！
由于 EN/HI 和 PWM/LI 连接在一起、因此 DLH 必须连接到 VDD 才能选择独立输入模式。 DHL 可以在独立模式下保持悬空或连接到 VDD 或接地。 如果在 PWM 模式下将两个输入连接在一起、则每次 PWM 信号为低电平时、该器件都将被禁用。
高侧开关使用电平转换器以及自举电容器和二极管、以便将 HO 输出电压作为 HS 的基准。
本文档介绍了自举电路的工作原理。 https://www.ti.com/lit/an/slua887a/slua887a.pdf
当高侧开关关闭时、需要一条从 HS 到接地的充电路径、以便为引导电容器充电。 这通常是通过低侧开关实现的。 由于您的电路没有从 HS 到接地的充电路径、因此需要添加浮动电源或低侧开关来实现高侧开关。 为了使 FET 导通、栅极驱动器输出电压需要转换至适当的电平。
谢谢！
Walter
我想知道我是否发现了这个问题。 您在第3页参考了 DHL 应该 悬空、GND 或 VDD、并且 DLH 应该连接到 IIM 的 VDD。 不过、第15页列出了下表。 
这是我在设计中遵循的表、其中 DHL 连接到 VSS、DLH 连接到 VDD for IIM (在数据表第15页)。 对于 IIM 的正确配置、是否有一些指导？
但是、将其复制到自举电路上。 我知道我实际上没有接地路径、因此我必须在下一个设计草案中更改。 有趣的是,似乎在专门为 IIM 提供文档的方式上很少。 感谢您的详细答复。
您好！
图16遗漏了 DHL 也可以连接到 VDD for IIM。 您的原理图已针对 IIM 正确配置
再看一下原理图、我认为问题在于您没有连接到 VSS 的接地节点。
VSS 是器件的接地节点、因此、由于没有接地连接、器件不会导通、并且11.74V 通过 LDO 进入 VDD 引脚。
IIM 在该表和时序图中进行了说明。 在 IIM 中、LO 由 LI 独立控制、HO 由 HI 独立控制。
谢谢！
Walter
