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[参考译文] BQ21080:用于替代 BQ25155

Guru**** 2015290 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ21080, BQ25155, BQ25620, BQ25120A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1398960/bq21080-as-a-replacement-for-bq25155

器件型号:BQ21080
主题中讨论的其他器件: BQ25155BQ25620BQ25120A

工具与软件:

我目前使用的 是/LP 保持悬空的 BQ25155 (因为它需要一个微过孔来访问该引脚)、以及/MR 上的下拉电路来启用 I2C 通信(见附图)。 这并不理想、因为我需要将/mr 拉低并在 I2C 之前等待几毫秒。 我注意到 BQ21080没有/LP、因此我想知道它是否适合替代 BQ25155。  我的最大充电电流为150mA。  

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    我刚意识到 BQ21080没有用于监测电池电压的集成式 ADC、这是我的强制性要求之一。 在这种情况下、我可以考虑使用其他芯片吗?

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    您好!

    如果需要集成 ADC 来监测电池电压、那么我们实际上只提供 集成了 ADC 的开关充电器、例如 BQ25610和 BQ25620器件。

    BQ25120A 包含一个电池电压监测器、该监测器不如 ADC 精确、但可能仍然对您的应用有用。 它是一款具有集成 LDO 和集成降压稳压器的线性充电器。

    此致、

    Juan Ospina

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    谢谢、Juan Ospina。 BQ25610和20似乎是很好的替代方案、但这需要我做一些重要的布局修改、才能将 D+行添加到 IC 中。

    鉴于我希望避免在焊盘上使用微/激光过孔和过孔来降低制造成本、如果我将 BQ25155的/LP (D3)路由到 LSLDO 该怎么办? 这是否允许我在不使用/MR 的权变措施的情况下使用 I2C? 我 使用开关切开/MR 给器件加电后、LsLDO 会将/LP 驱动为高电平、从而启用 I2C、对吧?

    此外、对于/INT、如果我将其路由到 C3并在那里有一个过孔、会怎么样? 由于 C3处于 NC、所以该引脚在内部未连接到任何东西、对吧?

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    您好!

    将其直接连接到 LDO 也应该可行。b 如果您想将/LP 引出、也可以通过 C4连接/LP、这样可使用上拉电阻器而不是直接连接到 LDO、从而提供一定的灵活性。  

    对于/INT、很遗憾、通过 C3将其路由会使电池静态电流增加至高达175uA、建议将此引脚保持悬空或接地。

    此致、

    Juan Ospina

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    很抱歉这么晚才回复、Juan Ospina。 我正在与制造厂家就/INT 进行一些讨论、他们建议将其通过 D2 -> C2 -> B1传输、使用阻焊层覆盖 C2和 B1。 如果您对这个想法有任何疑问、敬请告知。

    关于 /LP、使用上拉电阻有什么优势? 如果我只需要进行 I2C 通信、单独将/LP 连接到 D4上的 LLDO 是否可以正常工作? 在进行此修改时、我仍应保留电容器 C7、对吧?

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    尊敬的 Dushyantha:

    此处的上拉电阻器用于实现设计灵活性、以防后续需要信号。  

    [报价 userid="228410" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1398960/bq21080-as-a-replacement-for-bq25155/5372153 #5372153"]D2 -> C2 -> B1、阻焊层覆盖 C2和 B1。

    这应该起作用。 默认情况下会启用充电、但仍可通过 I2C 进行配置。 如果您不需要外部/CE 或/CE PG 信号、则可以使用此实现。

    此致、

    Juan Ospina

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    感谢所有的支持,Juan Ospina!

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    尊敬的 Juan Ospina:

    我只是检查了 D4、它一开始为0V。 由于整个修改是为了通过上拉/LP 使 I2C 正常工作、因此我想这会在通过 I2C 配置 LS/LDO 时产生问题。 如果我连接 D3 -> D4 -> E4该怎么办?  

    对于 LS/LDO、数据表显示"如果未使用 LDO、短接至 VINLS"

    E4大约是4.48V。 进行操作 额定值、高达5.5V 似乎没问题。

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    您好!

    由于假期将提供进一步的更新明天。

    此致

    Juan Ospina

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    尊敬的 Dushyantha:

    您似乎不打算使用 LS/LDO 电源轨? 我不确定这种行为的影响、因为通常情况下、如果未使用 LSLDO 和 VINLS、VINLS 就不会连接到 PMID、这正是您的情况。 这种情况可能可行、但我必须确认 LSLDO 和 VINLS 都短接至 PMID、从而不会从 PMID 消耗额外的电流。

    我至少在星期五才有实验室访问权限、所以我必须在下周早些时候与您联系以了解此项目。

    此致、

    Juan Ospina

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    谢谢、Juan Ospina。 我将等待您的更新。 如果可能、还请告知我从按下/MR 开关到  PMID 的延迟。 我想这会影响发送 I2C 配置之前我应该等待的时间。  我第一篇文章中的图像是我当前的原理图。 尽管我 不使用 LS/LDO 电源轨、但 VINLS 已连接到 PMID。  如果  D3 -> D4 -> E4正在消耗额外的电流、我要 尝试 D3 -> E4 Direct。 可能我必须减小 D4和 E3焊盘尺寸并使用0.08mm 的布线、这并不理想。

    这是对我现有生产线电路板的更新、因此我将尝试 通过最少的修改来实现/LP 拉高。

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    尊敬的 Dushyantha:

    您能解释一下"从/MR 开关按压到 PMID"的延迟是什么意思吗? 是指从按下到 PMID 变为高电平的延迟?

    D3->E4->PMID 应该没有问题、但我将尝试确认 D3->D4->E4->PMID 是否可行。

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的  Juan Ospina:

    是的、我的意思是从开关按下到 PMID 的延迟  为高电平。

    根据我的理解、只有当/MR 被置位或/LP 为高电平时、才可以进行 I2C 通信。 开关按压持续时间太不可靠、这意味着我需要等到/LP 处于高电平才能启动 I2C 通信以配置 BQ25155 (充电参数等)。

    之前、当我始终讨论使/LP 保持高电平时、其他人之所以不鼓励这一想法、是因为需要额外的电流消耗(因为器件始终处于高功率模式)、但我看到 BQ21080等新型芯片根本没有 LP。 是否有任何关于删除原因的见解?

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    尊敬的 Dushyantha:

    BQ21080被定义为具有更小的占用空间、因此在该器件中、最大程度地减少外部引脚的数量是一个优先事项。 BQ21080的大部分可配置性都通过 I2C 来实现、这就是控制运输模式和关断模式等器件模式的方式。

    [报价 userid="228410" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1398960/bq21080-as-a-replacement-for-bq25155/5392931 #5392931"]根据我的理解、只有/mr 声明或/lp 为高电平时、才能进行 I2C 通信。 开关按压持续时间太不可靠、这意味着我需要等到/LP 处于高电平才能启动 I2C 通信以配置 BQ25155 (充电参数等)。[/QUOT]

    为了澄清一点、您想知道/LP 变为高电平后 I2C 通信的时序?

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的  Juan Ospina:

    [报价 userid="491180" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1398960/bq21080-as-a-replacement-for-bq25155/5394273 #5394273"]为了澄清一下、您想知道/LP 变成高电平后 I2C 通信的时间?[/QUOT]

    是的、是这样。  

    但事后,这是一个无关的问题。 对于我考虑的配置、/LP 和我的电路板的其余部分(包括主微控制器)将由 PMID 供电。 那么我想、等到微控制器上电时、/LP 变为高电平、BQ 已准备好接收 I2C。

    此致、

    Dushyantha

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    尊敬的 Dushyantha:

    好的、如果我还有其他可以帮助的地方、请告诉我。

    此致、

    Juan Ospina  

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    尊敬的  Juan Ospina:

    但我将尝试确认 D3->D4->E4->PMID 是否可行。

     一旦您有了实验访问权限、就要验证 D3->D4->E4->PMID、对吗?

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    尊敬的 Dushyantha:

    Juan 今天不在办公室、但他明天应该回来、届时将能够为您提供帮助。

    此致、

    Alec Lehman

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    尊敬的 Dushyantha:

    抱歉、我从您之前的消息中了解到、 由于泄漏电流过大、D3->D4->E4->PMID 对于您的解决方案是不可行的。 我仍然可以尝试它、以确认它能够按预期工作。 我将在星期二之前作出答复。

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的 Dushyantha:

    与拉至 VDD 的/LP 相比、IBAT_ACTIVE 略有增加、大约为2uA、但除此之外、器件行为似乎符合预期、因此此连接应该适合您的解决方案。

    您将无法禁用 LDO、因为这会使输出下拉并显著增加静态电流。

    此致、

    Juan Ospina